发明名称 EDGE EMITTER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
摘要 <p>Ein Kantenemitter weist ein n- oder p-leitendes Substrat (2) aus einem Verbindungshalbleiter und eine über dem Substrat (2) angeordnete Schichtstruktur (3, 4, 5, 6, 7) auf. Die Schichtstruktur umfasst eine aktive Zone (4), wobei angrenzend oder benachbart der aktiven Zone (4) eine Aperturschicht (6) aus einem Al-haltigen Verbindungshalbleiter ausgebildet ist. Die Aperturschicht (6) weist einen innenliegenden, streifenförmigen, nicht-oxidierten Abschnitt (12) und zwei beidseitig an den innenliegenden Abschnitt (12) angrenzende, aussenliegende, oxidierte Abschnitte (11a, 11b) auf.</p>
申请公布号 WO0011727(A1) 申请公布日期 2000.03.02
申请号 WO1999DE02535 申请日期 1999.08.13
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG;WIPIEJEWSKI, TORSTEN 发明人 WIPIEJEWSKI, TORSTEN
分类号 H01L33/30;H01S5/22;H01S5/223;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L33/30
代理机构 代理人
主权项
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