| 主权项 |
1.一种具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其包括有:一第一导电型半导体基板;一连接至该半导体基板背面之第一欧姆接触电极;一形成在该半导体基板上之第一导电型下披覆层;一形成在该第一导电型下披覆层上之第一导电型或第二导电型活性层;一形成在该第一导电型或第二导电型活性层之上的第二导电型渐变组成AlGaInP上披覆层;及一位于该第二导电型渐变组成AlGaInP上披覆层之上第二欧姆接触电极。2.如申请专利范围第1项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该渐变组成AlGaInP上披覆层之组成为从(AlzGa1-z)0.5In0.5P渐变成(AlxGa1-x)yIn1-yP,其中0.05≦x≦0.9,0.1≦y≦0.95,0.3≦z≦0.9。3.如申请专利范围第1项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该半导体基板为GaAs基板。4.如申请专利范围第1项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该下披覆层为AlGaInP。5.如申请专利范围第4项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该AlGaInP下披覆层之组成为(AlzGa1-z)0.5In0.5P,其中,0.3≦z≦0.9。6 .如申请专利范围第1项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该活性层为AlGaInP。7.如申请专利范围第6项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该活性层为AlGaInP之多层量子井(MQW)结构或单层量子井(SQW)的结构。8.如申请专利范围第7项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该AlGaInP多层量子井活性层之组成为(AlwGa1-w)0.5In0.5P,其中,0≦w≦0.5。9.如申请专利范围第7项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该AlGaInP单层量子井活性层之组成为(AlwGa1-w)0.5In0.5P,其中,0≦w≦0.5。10.如申请专利范围第1项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该第一导电型为n型,该第二导电型为p型。11.如申请专利范围第1项之具有渐变组成之上披覆层的双异质结构发光二极体,其中,该第一导电型为p型,该第二导电型为n型。12.一种具有渐变组成之顶层的发光二极体,包括有:一第一导电型半导体基板;一该半导体基板的第一欧姆接触电极;一形成在该半导体基板上之第一导电下层;一形成在该第一导电型下层之上的第二导电型渐变组成AlGaInP顶层;及一位在该第二导电型渐变组成顶层之上的第二欧姆接触电极。13.如申请专利范围第12项之具有渐变组成之顶层的发光二极体,其中,该渐变组成AlGaInP顶层之组成为从(AlzGa1-z)0.5In0.5P渐变成(AlxGa1-x)yIn1-yP,其中0.05≦x≦0.9,0.1≦y≦0.95,0.3≦z≦0.9。14.如申请专利范围第12项之具有渐变组成之顶层的发光二极体,其中,该半导体基板为GaAs基板。15.如申请专利范围第12项之具有渐变组成之顶层的发光二极体,其中,该下层为AlGaInP。16.如申请专利范围第12项之具有渐变组成之顶层的发光二极体,其中,该AlGaInP下层之组成为(AlzGa1-z)0.5In0.5P,其中,0.3≦z≦0.9。17.如申请专利范围第12项之具有渐变组成之顶层的发光二极体,其中,该第一导电型为n型,该第二导电型为p型。18.如申请专利范围第12项之具有渐变组成之顶层的发光二极体,其中,该第一导电型为p型,该第二导电型为n型。图式简单说明:第一图A及第一图B为传统发光二极体之横截面图。第二图A及第二图B为习知之发光二极体的横截面图。第三图为根据本发明第一实施例之发光二极体的横截面图。第四图为第三图第一实施例之能带结构示意图;第五图为根据本发明第二实施例之发光二极体的横截面图。 |
