| 主权项 |
1.一种用过的晶圆或基底的再生方法,系藉着去除形成在用过的晶圆或基底上的功能性涂覆膜,该方法包含以下步骤:(a)根据功能性涂覆膜的品质、结构、或厚度来分类用过的晶圆或基底的步骤;(b)在夹持用过的晶圆或基底的状态下去除功能性涂覆膜的步骤,其系藉着:(i)在施加电化学过程中修整之下以硬质金属结合修磨石研光用过的晶圆或基底的目标面,(ii)在设置有衬垫的抛光板与功能性涂覆膜之间滴细微粒子抛光泥浆之下抛光目标面,或(iii)以预定电压电解在电解质溶液中相对于电极表面放置的目标面上的功能性涂覆膜;(c)于适当阶段机械去除黏着于端面的功能性涂覆膜的步骤;及(d)在去除功能性涂覆膜之后清洗及乾燥用过的晶圆或基底的步骤。2.如申请专利范围第1项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中于步骤(b)的(i)至(iii)的任何之一之后,在夹持用过的晶圆或基底的状态下,藉着在抛光板与目标面之间滴细微粒子抛光泥浆而镜面抛光该目标面。3.如申请专利范围第1项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中于步骤(b)的(i)的研光或显示器(b)(ii)的抛光是在对该硬质金属结合修磨石或该抛光板相对旋转研光或抛光面的同时实施。4.如申请专利范围第3项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中步骤(b)(i)最好在以500至600rpm的速率旋转目标面及以具有#2,000至10,000的粗糙度和以500至6,000rpm的速率旋转的杯形金属结合钻石修磨石施加电化学过程中修整之下实施。5.如申请专利范围第3项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中步骤(b)(ii)之实施最好系藉着在以10至200rpm的速率旋转目标面的同时滴含有具有10.0m或更小的平均尺寸的抛光粒子的细微粒子抛光泥浆于抛光板的衬垫上,及藉着在以10至200rpm的速率旋转抛光板的同时以100g/cm2或100g/cm2以上的面负载迫使目标面于该衬垫上而达成。6.如申请专利范围第1项、第2项、第3项、或第5项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中该细微粒子抛光泥浆含有择自由SiO2.Al2O3.SiC、氧化锆、铈氧化物、钻石、及胶态砂石所组成的群类的至少一磨料颗粒物质。7.如申请专利范围第6项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中该细微粒子抛光泥浆可为具有7.2或7.2以上的pH値的硷性泥浆。8.如申请专利范围第6项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中该细微粒子抛光泥浆可含有过氧化氢。9.如申请专利范围第1项、第2项、第3项、或第5项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中该细微粒子抛光泥浆最好包含Al2O3抛光粒子及水溶性无机物质,水溶性无机物质为择自由重铬酸盐、硝酸盐、及氯化物所组成的群类的至少一氧化铝盐。10.如申请专利范围第1项、第2项、第3项或第5项的用过的晶圆或基底的再生方法,其中该衬垫最好为具有40或40以上的萧氏(Shore)硬度的硬质衬垫。11.一种用过的晶圆或基底的再生装置,系藉着去除形成在用过的晶圆或基底上的功能性涂覆膜,该装置包含:(1)功能性涂覆膜去除单元,用来去除形成于用过的晶圆或基底上的功能性涂覆膜;(2)端面涂覆膜去除单元,用来去除黏着于用过的晶圆或基底的端面的功能性涂覆膜;(3)表面清洗单元,用来在去除功能性涂覆膜之后清洗用过的晶圆或基底的处理过的面。12.如申请专利范围第11项的用过的晶圆或基底的再生装置,其中该装置更包含用来在去除功能性涂覆膜之后镜面抛光处理过的面的表面抛光单元。图式简单说明:第一图为显示习知技术的再生过程的流程图;第二图为显示根据本发明的典型再生过程的流程图。第三图为显示根据本发明的再生装置。 |
