| 主权项 |
1.一种应用于AlGaInP发光二极体之磊晶晶圆,包括:一p型GaAs基板;一反射层,由在该基板上之层状多层半导体组成;一AlGaInP双异质接合发光结构,设在反射层上,且该发光结构由上下覆层间的主动层组成;以及一AlGaAs电流扩散层,设在该双异质接合发光结构之上,且该电流扩散层对该发光结构所发的光为透明;其特征在于:该AlGaAs电流扩散层是一个n型导电性,具有载子浓度不小于1017cm-3不大于21019cm-3且厚度不大于1m。2.如申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该电流扩散层还提供了对该发光结构所发出的波长透明的AlGaInP保护层。3.如申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中该电流扩散层有对该发光结构发出的波长为透明的GaP保护层。4.如申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中室温下该双异质接合发光结构组成层与该GaAs基板间之晶格偏差从0.085%到小于0.140%。5.如申请专利范围第1项所述之磊晶晶圆,其中组成该双异质接合发光结构层及该GaAs基板在磊晶成长温度下晶格吻合。6.一种AlGaInP发光二极体,包括:一p型GaAs基板;一反射层,由该基板上的多层半导体组成;一AlGaInP双异质接合发光结构,设在该反射层上,且该发光结构乃由上下覆层间的主动层组成;一AlGaAs电流扩散层,设在双异质接合发光结构上,且该电流扩散层对该发光结构所发的光为透明的;一第一电极,设在该GaAs基板背面;以及一第二电极,设在电流扩散层上面;其特征在于:该AlGaAs电流扩散层是n型导电性,载子浓度不小于1017cm-3不大于21019cm-3且厚度不大于1m。7.如申请专利范围第6项所述的发光二极体,其中该电流扩散层有一对该发光结构发出的光为透明之AlGaInP保护层。8.如申请专利范围第6项所述的发光二极体,其中该电流扩散层有一对该发光结构发出的光为透明之GaP保护层。9.如申请专利范围第6项所述的发光二极体,其中在室温下该发光结构双异质接合组成层与该GaAs基板之晶格偏差介于0.085%到小于0.140%。10.如申请专利范围第6项所述的发光二极体,其中在磊晶成长温度下该发光结构双异质接合组成层与该GaAs基板之晶格吻合。图式简单说明:第一图是一个有厚AlGaAs电流扩散层的传统LED的截面图;第二图显示AlGaAs电流扩散层厚度与残留亮度的比例的关系;第三图是一个本发明第一与第四实施例的LED的截面图;第四图是一个本发明第二与第五实施例的LED的截面图;以及第五图是一个本发明第三与第六实施例的LED的截面图。 |
