| 主权项 |
1.一种结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,包括下列步骤:提供一基底结构,该基底结构上已形成一第一介电层,且该第一介电层中已形成一第一沟渠;于该基底结构上形成一第一导电层,且至少填满该第一沟渠;移除部份的该第一导电层,直到暴露出该第一介电层,且在该第一沟渠中形成一导线;去除部份的该导线,且于该第一介电层中的该导线上形成一第二沟渠;于该第一介电层上形成一绝缘层,且至少填满该第二沟渠;移除部份的该绝缘层,直到暴露出该第一介电层,而于该导线上的该第二沟渠中形成一顶盖层;于该第一介电层上形成一第二介电层;定义该第二介电层以形成一介层窗开口,且暴露出该顶盖层;去除该顶盖层,以形成一凹陷区,且暴露出该导线;于该基底结构上形成一第二导电层,且至少填满该介层窗开口和该凹陷区;以及去除部份的该第二导电层,直到暴露出该第二介电层,并且在该介层窗开口和该凹陷区中形成一插塞,其中该插塞与该导线电性耦接。2.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第一介电层包括氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第一导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中移除部份的该第一导电层的方法包括回蚀刻。5.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该绝缘层包括氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中移除部份的该绝缘层的方法包括化学机械研磨法。7.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第二介电层包括氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中去除该顶盖层的方法包括湿式蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第二导电层包括钨金属层。10.一种结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,包括下列步骤:提供一基底结构,该基底结构上已形成一第一介电层,且该第一介电层中已形成一第一沟渠;于该第一沟渠中形成一导线;去除部份的该导线,且于该第一介电层中的该导线上形成一第二沟渠;于该导线上的该第二沟渠中形成一顶盖层;于该第一介电层上形成一第二介电层;定义该第二介电层以形成一介层窗开口,且暴露出该顶盖层;去除该顶盖层,以形成一凹陷区,且暴露出该导线;以及于该介层窗开口和该凹陷区中形成一插塞,且该插塞与该导线电性耦接。11.如申请专利范围第10项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第一介电层包括氧化矽层。12.如申请专利范围第10项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该导线的方法包括:于该基底结构上形成一导电层,且至少填满该第一沟渠;以及移除部份的该导电层,直到暴露出该第一介电层,且在该第一沟渠中形成该导线。13.如申请专利范围第12项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。14.如申请专利范围第12项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中移除部份的该导电层的方法包括回蚀刻。15.如申请专利范围第10项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该顶盖层的方法包括:于该第一介电层上形成一绝缘层,且至少填满该第二沟渠;以及移除部份的该绝缘层,直到暴露出该第一介电层,而于该导线上的该第二沟渠中形成该顶盖层。16.如申请专利范围第15项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该绝缘层包括氮化矽层。17.如申请专利范围第10项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该第二介电层包括氧化矽层。18.如申请专利范围第10项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中去除该顶盖层的方法包括湿式蚀刻法。19.如申请专利范围第10项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中形成该插塞的方法包括:于该基底结构上形成一导电层,且至少填满该介层窗开口和该凹陷区;以及去除部份的该导电层,直到暴露出该第二介电层,并且在该介层窗开口和该凹陷区中形成该插塞,其中该插塞与该导线电性耦接。20.如申请专利范围第19项所述之结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程,其中该导电层包括钨金属层。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示传统式结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图H系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种结合无边缘介层窗技术之金属镶嵌制程之制造流程的剖面示意图。 |
