| 主权项 |
1.一种半导体元件,其中包括:一SOI基板包含有一操作用晶元,一埋入绝缘层形成于该操作用晶元上及一第一传导型的矽层形成于该埋入绝缘层上,其中该矽层系由第一与第二部份组成,而第一部份厚于第二部份,致该矽层在第一与第二部份间具有一阶梯状部份;一闸极形成于包含该阶梯状部份之矽层上;一闸极绝缘层形成于该闸极与该矽层间;一第二传导型的第一接合领域相对于第一传导型者形成于该矽层之第一部份上,其中该第一接合领域之底部自该矽层第一部份的表面以选定深度定位;一第二传导型的第二接合领域自该矽层第二部份的表面以选定深度形成于该矽层的第二部份上;一中间绝缘层形成于SOI基板的整个表面上,该SOI基板包有间极,及第一与第二接合领域;一第一导电线形成于该中间绝缘层上,该第一导电线之延伸部份经该中间绝缘层与座落于其下的第一接合领域到达于该第一接合领域的底部;及一第二导电线形成于该中间绝缘层上,该第二导电线之延伸部份到达于该第二接合领域的上部表面。2.如申请专利范围第1项之所述之半导体元件,其中所述第一接合领域为MOSFET的源极领域,而该第二接合领域为汲极领域。3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件,其中所述该汲极领域底部与该SIO基板之埋入绝绿层上部表面相接触。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中所述第一传导型为P型,而第二传导型为n型。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中所述第一传导型为n型,而第二传导型为P型。6.一种半导体元件的制造方法,其包括的步骤有:提供一SOI基板,其中包含一操作用晶元,一形成于该操作用晶元之上的埋入绝缘层,及一第一传导型的矽层形成于埋入绝缘层上;以选定的深度选择性的蚀刻该矽层的选定部份,以分割该矽层成为第一与第二两部份,其中第一部份较第二部份为厚,致使该矽层在第一与第二部份间具有一阶梯状的部份;形成一闸极绝缘层于包含该阶梯状部份的矽层选定部份上;形成一闸极于该闸极绝缘层上;注入杂质于位于该闸极两侧的该矽层之选定部份,以形成源极/汲极领域,其中该源极领域形成于该矽层的第一部份上,该汲极领域形成于该矽层的第二部份上;形成一中间绝缘层于该SOI基板的整个表面上,该SOI基板内包含有该闸极,与该源极/汲极领域;形成接触孔以曝露该源极/汲极领域的选定部份;及形成一导电线以与该曝露之源极/汲极领域相接触;其中形成于该矽层第一部份中的接触孔延伸至该源极领域的底面,而形成于该矽层第二部份上的接触孔延伸至该汲极领域的表面。7.如申请专利范围第6项所述之半导体元件制造方法,其中所述第一传导型为P型,而第二传导型为n型。8.如申请专利范围第6项所述之半导体元件制造方法,其中所述第一传导型为n型,而第二传导型为P型。图式简单说明:第一图为传统式半导体元件之剖面图;第二图为本发明一实施例中之半导体元件之剖面图;及第三图A至第三图D为说明本发明之半导体元件制造方法之剖面图。 |
