| 主权项 |
1. 一种图案形成方法,其自喷墨式记录头将预定之流体喷出至基板上,以形成任意之图案,其具备:处理步骤,于喷出上述流体前,事先于上述基板上进行一定之处理;喷出步骤,自上述喷墨式记录头将上述流体喷出至已进行该处理之基板上。2. 一种图案形成方法,其自喷墨式记录头将预定之流体喷出至基板上,以形成任意之图案,其具备:喷出步骤,自上述喷墨式记录头将预定之流体喷出至基板上;处理步骤,于已喷出上述流体之基板上进行一定之处理。3. 一种图案形成方法,其自喷墨式记录头将预定之流体喷出至基板上,以形成任意之图案,其具备:喷出步骤,自上述喷墨式记录头喷出预定之流体;处理步骤,于自上述喷墨式记录头喷出之流体到达上述基板前,对该喷出之流体之液滴进行一定之处理。4. 如申请专利范围第1至3项中之任一项之图案形成方法,其中该处理为对上述流体造成化学作用之处理。5. 如申请专利范围第1或2项之图案形成方法,其中该处理为降低上述流体所含之既定物质之溶解度,以析出该物质之处理。6. 如申请专利范围第1或2项之图案形成方法,其中该处理为将可使上述流体产生化学反应之物质,喷出至上述基板上之处理。7. 如申请专利范围第1至3项中之任一项之图案形成方法,其中该处理为对上述流体造成物理作用之处理。8. 如申请专利范围第2项之图案形成方法,其中该处理为可沿着上述图案形成区域之边界,修整所喷出之上述流体之边界之处理。9. 如申请专利范围第2项之图案形成方法,其中该处理为藉由沿着上述图案形成区域移动吸收体,而使过剩之上述流体被上述吸收体所吸收之处理。10. 如申请专利范围第1至3项中之任一项之图案形成方法,其中该处理为对上述流体造成物理化学作用之处理。11. 如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中该处理为将上述基板内之上述图案形成区域之周围,表面改质为对上述流体为非亲和性之处理。12. 如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中该处理为将上述基板内之上述图案形成区域,表面改质为对上述流体为亲和性之处理。13. 如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中该处理为将上述基板内之上述图案形成区域,表面改质成可吸收上述流体之吸收层之处理。14. 如申请专利范围第2项之图案形成方法,其中该处理为于上述图案形成区域之周围形成可防止上述流体流出之屏障之处理,并更具备于形成上述图案后除去该屏障之制程。15. 如申请专利范围第2项之图案形成方法,其中该处理为沿着已喷出上述流体之上述图案区域,更喷出相同流体之处理。16. 如申请专利范围第3项之图案形成方法,其中该处理为可供给能量至上述液滴,以提高该流体之浓度之处理。17. 如申请专利范围第3项之图案形成方法,其中该处理为可供给能量至上述液滴,以弯曲该液滴之轨道之处理。18. 如申请专利范围第3项之图案形成方法,其中该处理为将使上述流体产生化学反应之物质,使其作用于上述液滴之处理。19. 如申请专利范围第3项之图案形成方法,其中该处理为可检测出上述液滴之属性的处理,其更具备控制步骤,其可根据所检测出之上述液滴的属性,控制上述液滴自上述喷墨式记录头之喷出。20. 一种基板制造装置,其目的在于以预定之流体于基板上形成任意之图案,其具备:喷墨式记录头,其可将上述流体喷出至上述基板上;处理机构,其可于上述基板上进行一定的处理;驱动机构,其可变更该喷墨式记录头与该处理机构对上述基板之相对位置;控制机构,其可控制上述流体自该喷墨式记录头之喷出、该处理机构之处理、及该驱动机构之驱动,其中该控制机构可于自该喷墨式记录头喷出流体前,先进行该处理机构之处理。21. 一种基板制造装置,其目的在于以预定之流体于基板上形成任意之图案,其具备:喷墨式记录头,其可将上述流体喷出至上述基板上;处理机构,其可于上述基板上进行一定之处理;驱动机构,其可变更该喷墨式记录头与该处理机构对上述基板之相对位置;控制机构,其可控制上述流体自该喷墨式记录头之喷出、该处理机构之处理、及该驱动机构之驱动,其中该控制机构可于进行该处理机构之处理前,先自该喷墨式记录头喷出流体。22. 一种基板制造装置,其目的在于以预定之流体于基板上形成任意之图案,其具备:喷墨式记录头,其可将上述流体喷出至上述基板上;处理机构,其可于自该喷墨式记录头喷出之流体之液滴,到达基板前,对该液滴进行一定之处理;驱动机构,其可改变该喷墨式记录头与该处理机构对上述基板之相对位置;控制机构,其可控制上述流体自该喷墨式记录头之喷出、该处理机构之上述处理、及该驱动机构之驱动。23. 如申请专利范围第20至22项中之任一项之基板制造装置,其中该处理机构可对上述流体造成化学作用。24. 如申请专利范围第20或21项之基板制造装置,其中该处理机构可降低上述流体所含之既定物质之溶解度,以析出该物质。25. 如申请专利范围第20或21项之基板制造装置,其中该处理机构可使上述流体产生化学反应之物质,喷出至上述基板上。26. 如申请专利范围第20至22项中之任一项之基板制造装置,其中该处理机构可对上述流体造成物理作用。27. 如申请专利范围第21项之基板制造装置,其中该处理机构可沿着上述图案形成区域之边界,修整所喷出之上述流体之边界。28. 如申请专利范围第21项之基板制造装置,其中该处理机构具备吸收体,藉由以该控制机构沿着上述图案形成区域相对移动上述吸收体,而使过剩之上述流体被上述吸收体所吸收。29. 如申请专利范围第20至22项中之任一项之基板制造装置,其中该处理机构可对上述流体造成物理化学作用。30. 如申请专利范围第20项之基板制造装置,其中该处理机构可将上述基板内之图案形成区域之周围,表面改质为对上述流体为非亲和性。31. 如申请专利范围第20项之基板制造装置,其中该处理机构可将上述基板内之图案形成区域,表面改质为对上述流体为亲和性。32. 如申请专利范围第20项之基板制造装置,其中该处理机构可将上述基板内之上述图案形成区域,表面改质为可吸收上述流体之吸收层。33. 如申请专利范围第22项之基板制造装置,其中该处理机构可于上述图案形成区域之周围,形成可防止上述流体流出之屏障,且该制造装置更具备可于形成上述图案后除去该屏障之机构。34. 一种基板制造装置,其目的在于以预定之流体于基板上形成任意之图案,其具备:喷墨式记录头,其可将上述流体喷出至上述基板上;驱动机构,其可改变该喷墨式记录头与上述基板之相对位置;控制机构,其可控制上述流体自该喷墨式记录头之喷出及该驱动机构之驱动,其中该控制机构中,沿着已喷出上述流体之上述图案区域,自该喷墨式记录头又喷出相同流体。35. 如申请专利范围第22项之基板制造装置,其中该处理机构可对上述液滴供给能量,以提高该流体之浓度。36. 如申请专利范围第22项之基板制造装置,其中该处理机构可对上述液滴供给能量,以弯曲该液滴之轨道。37. 如申请专利范围第22项之基板制造装置,其中该处理机构可将使上述流体产生化学反应之物质,供给至该液滴。38. 如申请专利范围第22项之基板制造装置,其中该处理机构可检测出上述液滴之属性,且该控制机构可根据该处理机构所检测出之上述液滴属性,控制上述液滴自该喷墨式记录头之喷出及该驱动机构之驱动。 |
