| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体之制造方法,具备: 在基板上形成控制电极之制程; 在上述控制电极上依序连续形成绝缘膜,半导体膜 ,接触膜之成膜制程; 在上述接触膜成膜后,在上述接触膜表面施加氮化 处理或氧化处理,使上述接触膜表面亲水化之制程 ; 形成光阻膜,将上述半导体膜及接触膜做为图案, 形成半导体层及接触层之制程; 形成与上述半导体层共同构成半导体元件之一对 电极的制程; 以及以上述一对电极为光罩,蚀刻接触层之制程为 特征者。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体之 制造方法,其中之该接触膜表面之氮化处理,系以N2 气体电浆处理者。3.如申请专利范围第1项之薄膜 电晶体之制造方法,其中之接触膜表面之氮化处理 系以N2及He混合气体电浆处理者。4.如申请专利范 围第1项之薄膜电晶体之制造方法,其中之接触膜 表面之氧化处理,系以O2气体电浆处理者。5.如申 请专利范围第1至4项中任何一项之薄膜电晶体之 制造方法,其中以接触膜之亲水化处理形成之薄膜 ,在半体层及接触层形成后,即予以消除者。6.一种 液晶显示装置,具备:绝缘性基极;形成在上述绝缘 性基板上之控制电极;形成在上述控制电极上之绝 缘膜;在上述控制电极上,介着上述绝缘膜形成之 半导体层;在上述半导体层之表面层上,形成具有 薄氮化膜或氧化膜之接触层;与上述半导体层共同 构成半导体元件之一对电极;与上述一对电极之任 一方电气连接之像素电极;以及含有与上述绝缘性 基板一起挟持液晶材料之对向电极等之对向基板 为特征者。图式简单说明: 第一图表示本发明实施形态1中,薄膜电晶体制造 工程中途状态之剖面图。 第二图表示本发明实施形态3,薄膜电晶体制造工 程中途状态之剖面图。 第三图表示习用之搭载此种薄膜电晶体之TFT阵列 基板的剖面图。 第四图表示习用薄膜电晶体制造工程中途状态之 剖面图。 |
