多段式化学机械研磨方法

摘要

一种使用于半导体晶片研磨机械装置，以增加晶片在黄光对准机台之精确对准方法。当半导体晶片置于化学机械研磨装置之机台并进行化学机械研磨时，其步骤包括了精确以时钟之正或逆方向，改变化学机械研磨装置之研磨头(Head)或研磨平台(Platen)的研磨方向，且以多段研磨方式藉以研磨半导体晶片实施之。或是以改变化学机械研磨装置之研磨头的方向，且置换不同研磨平台之多段研磨方式以实施。本发明藉以去除晶片研磨后，所造成之旋转效应(Rotation Effect)，进而获致较佳之对准精确度(Alignment Accuracy)。

主权项

1.一种用以作为半导体晶片化学机械研磨装置,以 增进晶 片在黄光对准机台之精确对准的方法,其步骤至少 包括: 将晶片装置于化学机械研磨机械装置之研磨平台; 研磨头准确以第一旋转方向相对于该化学机械研 磨装置 之研磨平台,以研磨该晶片;及 在前述之研磨平台上,该研磨头准确以一第二方向 相对 于该化学机械研磨装置之研磨平台,其中该第一方 向相反 于该第二方向,藉此使研磨之旋转效应减至最低, 甚至去 除研磨之旋转效应。2.如申请专利范围第1项之方 法,其中上述第一方向之研 磨时间大约等于该第二方向研磨之时间。3.如申 请专利范围第1项之方法,其中上述研磨头准确以 相对于化学机械研磨装置之研磨平台的第一方向, 其方向 为顺或逆时钟方向。4.如申请专利范围第3项之方 法,其中上述研磨接触头准 确以相对于化学机械研磨装置之研磨平台的第二 方向,其 方向为逆或顺时钟方向。5.如申请专利范围第1项 之方法,更包含重复执行上述第 一方向之研磨及上述第二方向之研磨。6.一种用 以作为半导体晶片化学机械研磨装置,以增进晶 片在黄光对准机台之精确对准的方法,其步骤至少 包括: 半导体晶片装置于化学机械研磨机械装置之第一 研磨平 台; 研磨头准确以第一方向相对于该化学机械研磨装 置之第 一研磨平台,以研磨该晶片; 将该晶片移至一第二研磨平台;及 在该第二研磨平台上,该研磨头准确以一第二方向 相对 于该化学机械研磨装置之第二研磨平台,以研磨该 晶片, 其中该第一方向相反于该第二方向。7.如申请专 利范围第6项之方法,其中上述第一方向之研 磨时间大约等于该第二方向研磨之时间。8.如申 请专利范围第6项之方法,其中上述研磨头准确以 相对于化学机械研磨装置之第一研磨平台的第一 方向,其 方向为顺或逆时钟方向。9.如申请专利范围第8项 之方法,其中上述研磨头准确以 相对于化学机械研磨装置之第二研磨平台的第二 方向,其 方向为逆或顺时钟方向。10. 如申请专利范围第6 项之方法,更包含重复执行上述 第一方向之研磨及上述第二方向之研磨。11. 一种 用以作为半导体晶片化学机械研磨装置,以增进 晶片在黄光对准机台之精确对准的方法, 其步骤 至少包括 : 将半导体晶片装置于化学机械研磨机械装置之第 一研磨 平台; 研磨头准确以第一方向相对于该化学机械研磨装 置之第 一研磨平台,以研磨该半导体晶片; 将该晶片移至一第二研磨平台,在该第二研磨平台 上, 该研磨头准确以一第二方向相对于化学机械研磨 装置之第 二研磨平台,以研磨该晶片,其中该第一方向相反 于该第 二方向; 将晶片移至一第三研磨平台;及 在该第三研磨平台上,该研磨头准确以该第一方向 相对 于化学机械研磨装置之第三研磨平台,以研磨该晶 片。12. 如申请专利范围第11项之方法,其中上述研 磨头准确 以相对于化学机械研磨装置之研磨平台的第一方 向,其方 向为顺或逆时钟方向。13. 如申请专利范围第12项 之方法,其中上述研磨头准确 以相对于化学机械研磨装置之第二研磨平台的第 二方向, 其方向为逆或顺时钟方向。14. 如申请专利范围第 11项之方法,更包含重复执行上述 第一研磨平台之研磨,该第二研磨平台之研磨,及 该第三 研磨平台之研磨。