| 主权项 |
1.一种化学机械式平面化工具,用于在半导体晶圆 之平 面化过程中提供现场之淋洗步骤,以增进整批晶圆 之晶圆 均匀度,包括: 一平台(42,66,88),用于支撑一半导体晶圆 (61); 一泵(45),具有一输入端与一输出端; 一分送杆(47,65,85),具有一输入端与一口; 第一线路,可将该泵(45)之输出端连接至该分送杆 (47,65,85)之输入端,其中该泵(45)、该第一线路、与 该分送杆(47,65,85)之总容量小于一百毫升;及 一淋洗杆(87,93),具有一输入端,用于接收 一液体;及至少一喷嘴。2.如申请专利范围第1项之 化学机械式平面化工具,尚 包括: 第一阀(76),具有一输入端,用于接收一液体;与 一输出端;及 第二阀(77),具有第一输入端,连接于该第一阀之 输出端;第二输入端,用于接收一研磨用化学物;与 一输 出端。3.如申请专利范围第2项之化学机械式平面 化工具,其 中该第一与第二阀系构成于一单一外壳(75)内,以 减少该 第一阀(76)与该第二阀(77)之间通连之容积。4.如申 请专利范围第1项之化学机械式平面化工具,尚 包括: 一泥浆流量计(90),可针对该泵(83)下游之研磨用 化学物加以反应;及 一泵控制电路(92),用于控制该泵(83)之速度,该 泵控制电路(92)可针对该泥浆流量计(90)与一输入 讯号加 以反应。5.如申请专利范围第4项之化学机械式平 面化工具,其 中该泥浆流量计(90)包括: 一压力感应装置(67),可针对该泵(83)下游之研磨 用化学物加以反应; 一滤波器(70),可针对该压力感应装置(67)加以反 应;及 一时间平均电路(71),可针对该滤波器(70)加以反 应,用于提供一讯号,该讯号系相对应于该泵(83)下 游之 研磨用化学物在多个泵打循环中之平均压力。6. 一种化学机械式平面化之方法,其步骤包括: 开启第一阀(44),以便将一研磨用化学物输送至泵 (45); 将该研磨用化学物泵打至一分送杆(47); 将该研磨用化学物分送至一研磨媒介(54); 使一批晶圆中之一片半导体晶圆(61)接触该研磨媒 介(54); 将该半导体晶圆(61)加以研磨; 关闭该第一阀(44); 开启第二阀(43),以便将一液体输送至该泵(45); 将该液体泵打至该分送杆(47),以便将该研磨用化 学物以冲洗之方式自一泥浆输出系统中清除,其中 自该泥 浆输出系统中以冲洗之方式清除之研磨用化学物 少于一百 毫升; 喷洒该研磨媒介(54),以去除该研磨用化学物; 将该半导体晶圆(61)自该研磨媒介(54)移除;及 针对该批晶圆中之每一半导体晶圆重覆以上之步 骤。7.如申请专利范围第6项之方法,其步骤尚包括 : 在研磨过程中感应该研磨用化学物之平均流量;及 若侦得该平均流量产生变化,则改变该泵(45)之速 度,以维持固定之流量。8.如申请专利范围第7项之 方法,其中喷洒研磨媒介 (54)之该步骤尚包括以复数个喷嘴大致垂直喷洒至 该研磨 媒介表面之步骤。9.一种化学机械式平面化之方 法,用于一批晶圆中之每 片半导体晶圆,其步骤包括: 启动泵(45,83),以便将研磨用化学物输送至一研 磨媒介(54,88); 感应该泵(45,83)下游之研磨用化学物压力; 将该研磨用化学物压力关联为研磨用化学物之流 量; 将相对应于多个泵打循环之时距内该研磨用化学 物 之流量加以平均;及 将一修正讯号回馈至该泵(45,83)。10.如申请专利范 围第9项之方法,其步骤尚包括: 将一半导体晶圆(61)加以研磨; 启动该泵(45,83),以便输送一液体,用于冲洗 一泥浆输出系统;及 喷洒一研磨媒介之表面,以去除研磨用化学物及 微粒。 |
