| 主权项 |
1.一种藉由化学机械研磨法之半导体晶圆的研磨 修整装置包括有: 具有研磨垫被固定于其上表面的一研磨盘,该研磨 盘可以沿着其中心轴的方向旋转; 复数个可旋转晶圆支撑轴,该晶圆支撑轴各具有一 面向研磨盘上之研磨垫上表面的下装载表面,该装 载装置将握持被研磨的晶圆,该共轴装置将沿其中 心轴而旋转以将半导体晶圆施压于旋转研磨垫的 径向部份; 用以修整该研磨垫的环状修整环系以共轴环绕各 被装载晶圆的方式被放置,该环状修整环系可被移 动地固定于该复数个晶圆装载支撑头的该下表面; 以及 用以施加一研磨与修整压力于该共轴研磨修整头 装置的加压装置,藉此,在该共轴研磨修整头装置 下表面上的晶圆与修整环系面向研磨垫的上表面 被加压。2.根据申请专利范围第1项所述之装置,其 中共轴地结合该修整环与该晶圆,以同时研磨该晶 圆并修整该研磨垫。3.根据申请专利范围第1项所 述之装置,其中该研磨垫系以用于研磨该半导体晶 圆之一适当的研磨液处理之。4.根据申请专利范 围第1项所述之装置,其中该环状修整环包含一适 当的修整材料被接合于其上的环状支撑装置。5. 根据申请专利范围第4项所述之装置,其中该环状 修整环基板系以陶瓷制成。6.根据申请专利范围 第4项所述之装置,其中该环状修整环陶瓷基板包 含一玻璃质结合剂。7.根据申请专利范围第4项所 述之装置,其中该环状修整环陶瓷基板具有经烧结 的钻石研磨粉夹杂物。8.根据申请专利范围第1项 所述之装置,其中共轴地结合该环状修整环于CMP机 械之该共轴研磨修整头装置上将消除对于分离式 修整站的需要。9.根据申请专利范围第8项所述之 装置,其中消除对于分离式修整站的需要将增加机 械产能。10.根据申请专利范围第1项所述之装置, 其中共轴地结合该环状修整环将改良研磨均匀性 与制程稳定性。11.根据申请专利范围第1项所述之 装置,其中共轴地结合该环状修整环与该晶圆支撑 头将简化机械结构并改良维修性。12.一种用以形 成一平坦且均匀表面于一半导体基板之化学机械 研磨方法,该方法包括下列步骤: 提供具有一研磨垫被固定于其上表面的一可旋转 研磨盘; 以研磨复合物制备该研磨垫; 提供复数个共轴研磨修整头装置,其各具有一面向 该研磨盘上之研磨垫上表面的下表面,该装载装置 将握持被研磨的晶圆,该装载装置将沿其中心轴而 旋转以将半导体晶圆施压于该可旋转研磨垫的径 向部份; 提供用以修整该研磨垫的环状修整环,该环状修整 环系以共轴环绕各被装载晶圆的方式被放置; 提供用以施加一研磨与修整压力于该共轴研磨修 整头装置的加压装置,藉此,在该共轴研磨修整头 装置下表面上的晶圆与修整环系面向研磨垫的上 表面被加压。13.根据申请专利范围第12项所述之 方法,其中共轴地结合该修整环与该晶圆,以同时 研磨该晶圆并修整该研磨垫。14.根据申请专利范 围第12项所述之方法,其中该环状修整环包含一适 当的修整材料被接合于其上的环状支撑装置。15. 根据申请专利范围第12项所述之方法,其中该环状 修整环基板系以陶瓷制成。16.根据申请专利范围 第12项所述之方法,其中该环状修整环陶瓷基板包 含一玻璃质结合剂。17.根据申请专利范围第12项 所述之方法,其中该环状修整环陶瓷基板具有经烧 结的钻石研磨粉夹杂物。18.根据申请专利范围第 12项所述之方法,其中共轴地结合该环状修整环于 CMP机械之该共轴研磨修整头装置上将消除对于分 离式修整站的需要。19.根据申请专利范围第12项 所述之方法,其中消除对于分离式修整站的需要将 增加机械产能。20.根据申请专利范围第12项所述 之方法,其中共轴地结合该环状修整环将改良研磨 均匀性与制程稳定性。21.根据申请专利范围第12 项所述之方法,其中共轴地结合该环状修整环与该 晶圆支撑头将简化机械结构并改良维修性。图式 简单说明: 第一图系为根据习知技术之CMP设备的示意侧视图 。 第二图系为图示习知技术之研磨布、晶圆研磨头 与修整头之相对位置的示意上视图。 第三图系为图示本发明之共轴研磨修整头装置之 下视图。 第四图系为图示本发明之CMP共轴研磨修整头装置 之示意前剖面图。 第五图系为本发明之修整环之放大示意剖面图。 第六图系图示本发明之研磨布、多重共轴研磨修 整头装置结构的示意平面图。 |
