半导体器件

摘要

一种腐蚀设备,具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室,以及一个腐蚀室。在腐蚀室中,使用氟化卤素气体如ClF₃气体的腐蚀,例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀,是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤,因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现,于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动,因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上的第一绝缘膜，含有氮化硅；在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，含有氧化硅；在所述第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；栅电极，靠近所述结晶半导体膜且带有栅绝缘膜；层间绝缘膜，设置在所述结晶硅上；以及象素电极，通过所述层间绝缘膜与所述漏区电连接。