| 发明名称 | 改进型高密度SVCD光盘 | ||
| 摘要 | 本实用新型是关于一种改进型高密度SVCD(扩展型VCD)光盘,其特征是将SVCD光盘上的讯号坑的长度与轨距均缩小,即使光盘上讯号坑于辐射方向相邻两讯号坑的轨距为0.9μm至1.49μm,最佳为0.9μm,各讯号坑周边的坡度为80°;并于制造上维持讯号坑的良好形状,降低讯号坑彼此的干扰,可提升讯号记录的密度而实现增加储存资料容量目的,可使光盘储存的资料容量由650MB(74分钟)有效的提升至1950MB(222分钟),并可于特定规格的高密度光盘机上正常的使用或插放。 | ||
| 申请公布号 | CN2366942Y | 申请公布日期 | 2000.03.01 |
| 申请号 | CN99208814.3 | 申请日期 | 1999.04.27 |
| 申请人 | 孙国彰 | 发明人 | 孙国彰 |
| 分类号 | G11B7/24 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 北京奥瑞专利事务所 | 代理人 | 朱黎光 |
| 主权项 | 1、一种改进型高密度SVCD光盘，其特征在于光盘上讯号坑于辐射方向相邻两讯号坑的轨距为0.9μm至1.49μm。 | ||
| 地址 | 518031广东省深圳市华强北路1015号电子世界4楼4C028恩基公司 | ||