| 发明名称 | 制造一个半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 在制造一个半导体元件,尤其是一个半导体二极管的方法中,该半导体衬底具有形成电极端子的金属层(3,4)和钝化物质(2),并且该衬底被暴漏给粒子辐射(P)以调节载体寿命,其中至少在辐射侧上的金属层(3)和钝化物质(2)没有被施加,直到粒子辐射(P)之后。结果在半导体衬底(1)中得到预先含有不希望的边缘效应的连续的损坏区域(5)。 | ||
| 申请公布号 | CN1245974A | 申请公布日期 | 2000.03.01 |
| 申请号 | CN99118119.0 | 申请日期 | 1999.08.23 |
| 申请人 | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 | 发明人 | N·加尔斯特;S·林德 |
| 分类号 | H01L21/329 | 主分类号 | H01L21/329 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1.从一个半导体衬底(1)制造一个半导体元件，尤其是一个半导体二极管的方法，该半导体衬底具有形成电极端子的金属层(3，4)和钝化物质(2)，并且该衬底被暴漏给粒子辐射(P)以调节载体寿命，其中至少在辐射侧上的金属层(3)和钝化物质(2)没有被施加，直到粒子辐射(P)之后。 | ||
| 地址 | 瑞士巴登 | ||