对准集成电路管芯用的基准

摘要

在一个实施例中,基准构成为利用激光化学腐蚀通过C4封装的集成电路管芯的背面通过硅衬底暴露。先前描述的基准包括设置于衬底内的浮置扩散区。没有金属接触的氧化层设置于集成电路的基准区内的扩散区之上。金属图形层设置于氧化层之下,提供对准信息。金属图形层构成为在从基准区去掉了硅衬底后通过氧化层可见。阻光区设置于金属图形层和底下的环氧填充层之间,以使过量的光暴露到底层环氧层的危险最小,进而使环氧层由于过量曝光损伤集成电路的危险最小。由于先前所述的基准在氧化层中不包括任何接触,所以,不再需要利用聚焦离子束铣的附加步骤,因此先前所述的基准只需要利用激光化学腐器进行腐蚀暴露。

主权项

1.一种对准集成电路管芯的基准，该基准设置于集成电路管芯的基准区内，包括：设置于基准区内集成电路管芯衬底上的扩散区；设置于扩散区上的氧化层，该层在基准区内没有接触；及设置于基准区内氧化层上的金属图形。