| 发明名称 |
Integrated mosgated power semiconductor device with high negative clamp voltage and fail safe operation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2299903(B) |
申请公布日期 |
2000.03.01 |
| 申请号 |
GB19960007237 |
申请日期 |
1996.04.04 |
| 申请人 |
* INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
BRUNO C * NADD |
| 分类号 |
H03K17/04;H03K17/06;H03K17/0812;H03K17/082;H03K17/695;(IPC1-7):H03K17/06 |
主分类号 |
H03K17/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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