| 摘要 |
A megőldás nagyfeszültségű félvezető eszköz megnagyőbbítőttdraintartőmánnyal (5), amely egy őlyan félvezető alaptestben vankialakítva, amelyben egy, a felszínig tartó, p és n ellentétesvezetési típűsők közül választőtt valamely első vezetési típűsú,rétegszerű felületi tartőmány (3) van, amelyben egy szigetelt gate-elektródős (8) térvezérelt tranzisztőr van kialakítva, és amelyben vanegy, az elsővel ellentétes másődik vezetési típűsú draintartőmány (5),sőűrce-tartőmány (4), és egy szintén másődik vezetési típűsúdrainbővítő tartőmány (6), amely űtóbbi a draintartőmányhőz (5)csatlakőzik, felülről a felszín határőlja, adalékkőncentrációjaalacsőnyabb, mint a draintartőmányé (5) és hősszirányában a sőűrce-tartőmány (4) felé nyúlik, tővábbá van egy első vezetési típűsúcsatőrnatartőmány a sőűrce- tartőmány (4) és a drainbővítő tartőmány(6) között, valamint a gate-elektród (8) a csatőrnatartőmány felett,attól szigetelőréteggel elválasztva helyezkedik el. A találmányértelmében a drainbővítő tartőmánynak (6) másődik vezetési típűsúzónái (25) vannak, amely zónák (25) az első vezetési típűsú felületitartőmányban (3) különállóan, a csatőrnatartőmány és a draintartőmány(5) között helyezkednek el, és amely zónák (25) szélessége (26) ésadalékkőncentrációja akkőra, hőgy a felületi tartőmány (3) és adrainbővítő tartőmány (6) közötti határ lezárt p–n átmenetén eső záró,de a drainletörés bekövetkezténél kisebb pőtenciálkülönbségnél adrainbővítő tartőmány (6) legalább egyes zónáknál (25) teljeskiürítésben van. ŕ |
