发明名称 | 半导体器件的陶瓷复合布线结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种用在至少一个半导体器件(16)上的复合布线结构(10)。此复合布线结构具有其上为电连接于其上可以安装半导体器件的第一导电元件(12)。由陶瓷或有机—陶瓷复合材料构成的介电元件(20),被键合于第一导电元件(12),并含有埋置在其中的导电网络(24)和热分布网络(26)。可以将第二导电元件(32)与复合布线结构组合,以电容器(64)电连接于导电网络(24)和第二导电元件(32)之间。在不足以对导电网络和热分布网络的结构完整性产生不利影响的温度下,可以以直接共价键合的形式,形成介电元件与导电元件之间的键合。 | ||
申请公布号 | CN1245629A | 申请公布日期 | 2000.02.23 |
申请号 | CN97181620.4 | 申请日期 | 1997.12.29 |
申请人 | 皮埃尔·L·德罗什蒙特 | 发明人 | 皮埃尔·L·德罗什蒙特;彼特·H·法默 |
分类号 | H05K1/00;H05K7/20 | 主分类号 | H05K1/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种处理来自至少一个半导体器件的电和热的传导的复合结构,它包含:具有至少一个形成电网络一部分的导电体和至少一个形成热网络一部分的导热体的复合物,所述导电体键合于电绝缘的介电元件,而所述介电元件包围电网络和热网络;从而所形成的所述导电体和导热体以及电网络和热网络被安排在所述介电元件中,彼此电隔离;以及整个结构被构造和安排成能够将热从电网络和半导体器件传送到和传送通过热网络。 | ||
地址 | 美国新罕布什尔 |