| 发明名称 |
Ion implantation process simulation device realizing accurate interpolation of ion implatation profiles and simulation method therefor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0862126(A3) |
申请公布日期 |
2000.02.23 |
| 申请号 |
EP19980103392 |
申请日期 |
1998.02.26 |
| 申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
ASADA, SUSUMU;SAWAHATA, KOICHI |
| 分类号 |
H01L21/265;G06F17/50;H01L21/00;(IPC1-7):G06F17/50 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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