集成电路中介电层的制造方法

摘要

一种集成电路中介电层的制造方法，其主要步骤如下：首先，沉积一层金属导电层，并利用活性离子式电浆蚀刻技术制定所述金属导电层的图案，使金属导电层图案并与半导体元件电性接触，然后利用等离子增强式化学沉积法沉积一介电层，其为介电层底层，最后以热解化学气相沉积法，利用四乙氧基硅烷和臭氧气体在介电层底层上沉积形成另一介电层，此介电层厚度均匀且可完全填满所述金属导电层图案之间的空隙，以达到平坦化效果。

主权项

1、一种集成电路中介电层的制造方法，包括以下步骤：在一个半导体衬底上形成半导体元件和金属导电层图案；然后，在金属导电层图案上和半导体衬底其它区域形成一介电层底层；介电层底层的制造条件及步骤如下：利用等离子增强式化学气相沉积法，其反应物质为氧气加四乙氧基硅烷，沉积PE-TEOS介电层底层；在介电层底层上，再沉积一伴有臭氧的TEOS形成可流动性的二氧化硅介电层，由热解化学气相沉积法沉积，完全填满所述金属导电层图案间的空隙；其特征在于：在沉积PE-TEOS介电层底层步骤中，先利用第一功率进行PE-TEOS沉积后，再进行第二功率的PE-TEOS沉积，第一功率高于第二功率；经两种功率沉积PE-TEOS介电层后，才完成介电层底层的制作。