| 发明名称 |
Semiconductor having low concentration of carbon |
| 摘要 |
Non-single-crystalline semiconductor material or device containing carbon impurity in a concentration less than 4x1018 atoms/cm3.
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| 申请公布号 |
US6028264(A) |
申请公布日期 |
2000.02.22 |
| 申请号 |
US19970910465 |
申请日期 |
1997.07.25 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
YAMAZAKI, SHUNPEI |
| 分类号 |
H01L31/028;H01L31/0288;H01L31/0376;H01L31/0392;H01L31/075;(IPC1-7):H01L31/037 |
主分类号 |
H01L31/028 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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