发明名称 供气体杂质检测用之腔内雷射频谱术(二)
摘要 在如腐蚀性般之气体中的杂质系在在l个百万分率(ppm)及延伸至一个低于l个百万兆分率(ppb)之程度的浓度下藉着使用腔内雷射频谱术(ILS)技术来被光学地检测。一雷射器(500),该ILS雷射器(500),系被使用作为一检测器(10)。该ILS雷射器(500)包含一个被包含在一雷射腔(5)内的增益媒质(507)。一包含气体杂质种类的气体样品被包含于一气体样品槽(406)内,该气体样品槽被置放在该雷射腔(5)内部并且在该增益媒质(507)的一侧上。在要被检测之气体种类是在腐蚀性气体中的情况中,该腐蚀性气体系被防止与该ILS雷射器(500)的组件反应。来自该ILS雷射器(500)的输出讯号被检测及分析俾监定气体种类(透过其之光谱特征)。气体种类的浓度也能够从该光谱特征决定。
申请公布号 TW382655 申请公布日期 2000.02.21
申请号 TW088111199 申请日期 1997.04.18
申请人 创始雷射股份有限公司 发明人 乔治H.阿特肯森;艾斯梅尔.曼兹兰屈
分类号 G01N21/00 主分类号 G01N21/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种用于检测在包含腐蚀性气体之一气体样品中之气体种类之出现的方法,包含如下之步骤:(a)选择一光谱范围,其中(i)气体种类具有至少一吸收特征及(ii)该腐蚀性气体本质上不具有干扰吸收特征;(b)提供一雷射器(500),该雷射器(500)包含一雷射腔(5)及一位于其内的增益媒质(507),该增益媒质(507)输出具有一波长分布的光线,该波长分布的至少一部份系在该所选择的光谱范围内;(c)提供一气体样品槽(406),该气体样品槽(406)具有对于在该所选择之光谱范围内之光线来说系透明的透窗以致于一光线束流能够通过该气体样品槽(406);(d)将该气体样品槽(406)插入该雷射器(500)内以致于自该增益媒质(507)输出的光线在离开该雷射腔(5)之前通过该气体样品;(e)将包含腐蚀性气体的气体样品插入该气体样品槽(406)内以致于自该增益媒质(507)输出的光线通过该气体样品,该气体样品被密封于该气体样品槽(406)内以致于该腐蚀性气体不与该雷射器(500)反应;及(f)在离开该雷射腔(5)之后,指引自该增益媒质(507)输出的光线至一检测器总成(700)俾决定在该气体样品中之气体种类的出现及/或者浓度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该腐蚀性气体包含一种从包含N2O、NO、NO2.HONO、HNO2.SO、SO3.H2SO4.Cl2.ClO、Cl2O2.HOCl、PH3.OCS、HI、HF、HBr、BCl3.BCl、SO2.BF3.Br2.I2.F2.O3.AsH3.NH3.SiH4.B2H4.HNO3.HCN、HNC、H2S、COF2.和CH4xXx之群别中选择出来的气体,其中X为F或者Cl且x等于1至4。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该气体种类包含水。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该所选择的光谱范围系从在大约1420与1440毫微米之间的波长范围中选择出来。图式简单说明:第一图A和第一图B系本发明之杂质检测器系统的示意方块图;第一图A显示基本构形,而第一图B则显示被实施在第二图中所显示之模范实施例中的构形;第二图系本发明之杂质检测器系统之模范实施例之更详细的示意立体图;第三图A至第三图C包括简单之雷射装置的示意图及从该等装置所获得之伴随的图解式光谱输出;第四图系包括在第二图中所描绘之室组件之一ILS室的示意立体图,某些组件系以部份拆除形式来被显示;第五图系一模范ILS雷射晶体固持器和在第二图中所显示之杂质检测器系统中有用之散热器的立体图;第六图系一束流成形装置之模范实施例的扩大立体图,该装置包括一斩波元件,其可以有利地被使用于在第二图中所显示的杂质检测器系统中;第七图描绘显示在N2与HCl气体中之模范水吸收光谱在1433-1440毫微米之波长内的图表;第八图描绘显示在N2与HCl气体中之ILS水吸收在1420-1434毫微米之波长内的图表;第九图描绘显示藉着渗透管/体积膨胀技术所测定之水吸收强度对水浓度的图表;及第十图描绘显示藉着一直列式净化器所测定之在1420-1430nm范围中水吸收强度对水浓度的图表。
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