| 摘要 |
一个磷化镓发光元件用之磊晶晶圆，包括依序在一n型磷化镓单晶基板上成长一n型磷化镓缓冲层，n型磷化镓层，氮掺杂n型磷化镓层及p型磷化镓层，其中，在氮掺杂n型磷化镓层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过lx10^15cm-3，且在缓冲层中的Ti, V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu不超过lx10^16cm-3。n型及p型电极被形成在晶圆上，其被分开而形成磷化镓发光元件。 |
| 主权项 |
1.一种磷化镓发光元件用的磊晶晶圆,由在n型磷化镓基板上依序形成n型磷化镓层,氮掺杂n型磷化镓层及p型磷化镓层而形成;其特征在于在氮掺杂n型磷化镓层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过11015cm-3。2.一种磷化镓发光元件用的磊晶晶圆,由在n型磷化镓基板上依序形成一或复数层n型磷化镓缓冲层,n型磷化镓层,氮掺杂n型磷化镓层及p型磷化镓层而形成;其特征在于在氮掺杂n型磷化镓层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过11015cm-3。3.一种磷化镓发光元件用的磊晶晶圆,由在n型磷化镓基板上依序形成一或复数层n型磷化镓缓冲层,n型磷化镓层,氮掺杂n型磷化镓层及p型磷化镓层而形成;其特征在于在n型磷化镓缓冲层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过11016cm-3。4.如申请专利范围第3项的磊晶晶圆,其特征在于在氮掺杂n型磷化镓层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过11015cm-3。5.一种磷化镓发光元件,由在n型单晶磷化镓基板上依序形成n型磷化镓层,氮掺杂n型磷化镓层及p型磷化镓层而形成,同时并在基板后表面上提供一第一导电型的电极,且在p型磷化镓层的前表面上提供一第二导电型的电极;其特征在于在氮掺杂n型磷化镓层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过11015cm-3。6.一种磷化镓发光元件,由在n型磷化镓单晶基板上依序形成一或复数层n型磷化镓缓冲层,n型磷化镓层,氮掺杂n型磷化镓层及p型磷化镓层而形成,同时并在基板后表面上提供一第一导电型的电极,且在p型磷化镓层的前表面上提供一第二导电型的电极;其特征在于在氮掺杂n型磷化镓层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过11015cm-3。7.一种磷化镓发光元件,由在n型磷化镓单晶基板上依序形成一或复数层n型磷化镓缓冲层,n型磷化镓层,氮掺杂n型磷化镓层及p型磷化镓层而形成,同时并在基板后表面上提供一第一导电型的电极,且在p型磷化镓层的前表面上提供一第二导电型的电极;其特征在于在n型磷化镓缓冲层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过11016cm-3。8.如申请专利范围第3项的磊晶晶圆,其特征在于在氮掺杂n型磷化镓层中的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及Cu的浓度和不超过11015cm-3。图式简单说明:第一图系绘示用以形成磷化镓黄绿色发光元件之磊晶晶圆的结构之图式;第二图系绘示在磷化镓发光元件的发光层中之不纯物过渡元素的浓度和与发光亮度间之关系的图式;第三图系绘示在磷化镓发光元件的发光层中之不纯物过渡元素的浓度和与反应速度间之关系的图式;第四图系绘示在磷化镓发光元件的缓冲层中之不纯物过渡元素的浓度和与反应速度间之关系的图式;第五图(a)系绘示在包含矽与磷化镓的镓溶液的基板上之排列;第五图(b)系绘示经由从镓溶液的磷化镓沉积而在基板上的缓冲层之成长;第六图(a)系绘示在形成有缓冲层的基板上的镓溶液之排列;第六图(b)系绘示由镓溶液的磷化镓层之基板沉积;第六图(c)系绘示在磷化镓层上的发光层之成长;第六图(d)系绘示在发光层上的p型磷化镓层之成长;第七图系绘示经由提供电极给第六图(d)之晶圆而配置成的磷化镓发光元件之排列;及第八图系显示根据本发明的磷化镓发光元件与一传统的磷化镓发光元件的亮度之范围。 |
