| 主权项 |
1.一种改进旋涂式玻璃之出气问题的制造方法,该方法包括:在一真空室中提供一积体电路结构,该结构至少具有一介层窗延伸穿透一旋涂式玻璃层的一部份,且该旋涂式玻璃的一表面暴露于该介层窗之中;在该室中加热该结构,并且在真空下使暴露于该介层窗之该旋涂式玻璃出气;以及形成一薄层至少覆盖于暴露于该介层窗之该旋涂式玻璃,且该出气步骤与形成该薄层的步骤之间,真空度系维持一定,并未破真空。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该加热步骤与形成该薄层于介层窗的步骤系在一多室系统中的一出气室与一沈积室内进行。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该结构系在加热之后,形成该薄层于该结构之该介层窗之前,由该出气室转移至该沈积室。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该多室系统包括一转移室,以使该结构由该出气室穿越该转移室而转移至该沈积室。5.一种改进旋涂式玻璃之出气问题的制造方法,该方法包括:提供一积体电路结构,该结构至少具有一介层窗与一暴露于该介层窗的旋涂式玻璃表面;放置该结构于具有一真空室的一多重系统中;该真空室内提供一真空的环境;于该真空室中加热该结构,以移除该旋涂式玻璃所暴露之表面的水气;放置该结构于该多室系统的一沈积室中,该沈积室维持在真空之下;以及形成一薄层覆盖于该旋涂式玻璃所暴露之表面。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该多室系统更包括一转移室,以使该结构由该出气室穿越该转移室而转移至该沈积室。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该结构在该真空室加热与穿越该转移室进入该沈积室期间的真空度维持一定。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中加热该结构的步骤包括加热该结构之温度范围约在200℃至500℃之间。9.如申请专利范围第5项所述之方法,其中真空的条件包括小于100毫托。10.如申请专利范围第5项所述之方法,其中加热该结构的步骤包括加热该结构之温度约在200℃以上,加热的时间约在10秒钟至5分钟的范围。11.如申请专利范围第5项所述之方法,其中加热该结构的步骤包括加热该结构之温度不低于100℃。图式简单说明:第一图至第五图绘示传统以回蚀刻方法形成具有旋涂式玻璃层之三明治结构流程图。第六图至第七图绘示传统以无回蚀刻方法形成具有旋涂式玻璃层之三明治结构流程图。第八图至第十图绘示依照本发明之方法,以形成具有旋涂式玻璃层结构之流程图。第十一图绘示依照本发明之方法所使用之制程系统。 |
