| 主权项 |
1.一种电浆成膜方法,其特征在于包含有:电浆化,系将含有环状构造之C5F8气体之成膜气体电浆化;及形成绝缘膜,系藉该电浆而在被处理基板上形成由添加氟之碳膜所成的绝缘膜。2.如申请专利范围第1项之电浆成膜方法,其中前述成膜气体系含有环状构造之C5F8气体以及碳化氢气体或氢气体中之最少有任一方的气体。3.如申请专利范围第1项之电浆成膜方法,其处理压力为5.5Pa以下。4.如申请专利范围第1项之电浆成膜方法,其中前述被处理基板上之温度为360℃以上。5.一种电浆成膜方法,其特征在于包含有:电浆化,系将含有直锁构造之C5F8气体之成膜气体作电浆化;及形成绝缘膜,系依该电浆而在被处理基板上形成由添加氟之碳膜所成的绝缘膜。6.如申请专利范围第5项之电浆成膜方法,其中前述成膜气体系直锁构造之C5F8气体,以及含有碳化氢气体或氢气体中之最少有任一方之气体。7.如申请专利范围第5项之电浆成膜方法,其处理压力为0.3Pa以下。8.如申请专利范围第5项之电浆成膜方法,其中前述被处理基板上之温度为360℃以上。9.一种电浆成膜方法,其特征在于包含有:电浆化,系将含有苯环之化合物气体的成膜气体予以电浆化;及形成绝缘膜,系依该电浆而在被处理基板上形成添加氟之碳膜的绝缘膜。10.如申请专利范围第9项之电浆成膜方法,其中具有苯环状之前述化合物乃以C与F所成之化合物。11.如申请专利范围第10项之电浆成膜方法,其中具有苯环状而由C与F所成之前述化合物为C6F6。12.如申请专利范围第10项之电浆成膜方法,其中具有苯环状而以C与F所成之前含化合物,为C7F8。13.如申请专利范围第9项之电浆成膜方法,其中具有苯环之前述化合物乃由C与F及H所成之化合物。14.如申请专利范围第13项之电浆成膜方法,其中具有苯环状由C与F及H所成之前述化合物乃为C7H5F3。图式简单说明:第一图系表示为实施本发明方法之电浆处理装置的一例之纵截侧面图;第二图系表示于本发明之第1实施态样所使用的成膜气体之分解,再结合之情况的说明图;第三图系表示分解环状构造之C5F8气体时的质量分析结果之特性图;第四图系表示与在本发明之第1实施态样所使用的成膜气体,作比较之C4F8气体的分解,再结合之情况的说明图;第五图系表示测试薄膜之重量变化用的测定装置之概略截面图;第六图系对于使用环状构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜,表示处理温度与重量变化之关系的特性图;第七图系对于使用环状构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜,表示成膜气体之流量比与重量变化之关系的特性图;第八图系针对使用环状构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜,表示处理压力与重量变化之关系的特性图;第九图系针对使用环状构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜,表示处理温度与重量变化之关系的特性图;第十图系针对使用环状构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜,表示成膜气体之流量比与重量变化之关系的特性图;第十一图系针对使用环状构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜,表示处理压力与重量变化之关系的特性图;第十二图系表示使用直锁构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜的处理温度与重量变化之关系的特性图;第十三图系表示使用直锁构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜的成膜气体之流量比与重量变化的关系之特性图;第十四图系表示使用直锁构造之C5F8气体及C2H4气体所成膜之CF膜的处理压力与重量变化之关系的特性图;第十五图系表示分解直锁构造之C5F8气体时的质量分析结果之特性图;第十六图系表示针对实施例与比较例,比较CF膜之重量变化的说明图;第十七图系表示分解C4F8气体时之质量分析结果的特性图;第十八图系表示对于CF膜于高温下进行质量分析时之结果的特性图;第十九图系表示半导体装置之构造之一例的构造图;第二十图系表示于本发明之第2实施态样所使用之成膜气体的分解,再结合之情况的说明图;第二十一图系表示成膜气体之例的分子式说明图;第二十二图系表示成膜气体之例的分子式说明图;第二十三图系表示对于实施例及比较例之重量变化的说明图;第二十四图系表示于高温下对实施例之CF膜,进行质量分析时之结果的特性图;第二十五图系表示于高温下对于比较例之CF膜,进行质量分析时的结果之特性图;第二十六图系表示分解六氟化苯时之质量分析结果的特性图;第二十七图系表示分解六氟化甲苯时之质量分析结果的特性图;第二十八图系表示分解1,4-双重三氟化甲基苯时之质量分析结果的特性图。 |
