| 主权项 |
1.一种积体电路元件的制造方法,包括:提供具有一第一源极/汲极区形成于一基底之一转移场效电晶体;形成一绝缘层于转移场效电晶体上方;透过该绝缘层开一接点介层以暴露出至少该第一源极/汲极区的一部份;提供一导电内连线于该接点介层;提供一导电材料层于该绝缘层透过该导电内连线连接至该第一源极/汲极区;提供一第一蚀刻光罩于该导电材料层上;以该第一蚀刻光罩部份蚀刻该导电材料层以定义出该导电材料层的一高起部份,该导电材料层的该高起部份具有对准于该第一蚀刻光罩的边缘并以一第一距离延伸于该导电材料层的一凹陷部份上方;移除该第一蚀刻光罩,并形成一第二蚀刻光罩邻接于该导电材料层之该高起部份的边缘,该第二蚀刻光罩暴露出该导电材料层之该高起部份的一表面;蚀刻该导电材料层的该高起部份,并完全蚀刻该导电材料层的该凹陷部份以至少定义出部份之一电荷储存结构的一下电极;提供一介电层于该下电极上方;以及提供一上电极于该介电层上方。2.如申请专利范围第1项所述之方法,在开该接点介层之步骤前,更包括平坦化该绝缘层的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该导电材料层为一掺杂多晶矽,且该导电材料层平坦化。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二蚀刻光罩不以微影步骤来形成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二蚀刻光罩的形成步骤如下:毯覆式的沉积一蚀刻材料于该导电材料层之该高起部份上;以及对该蚀刻材料回蚀刻以形成该第二蚀刻光罩,使得该第二蚀刻光罩延伸于该导电材料层的该高起部份之边缘,并延伸于该导电材料层的该凹陷部份。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第二蚀刻光罩不延伸于该导电材料层之该高起部份。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第二蚀刻光罩为一氧化物。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该下电极包括一下底板与一皇冠结构延伸于该下底板上方,该下底板之一底板厚度约等于该第一距离。9.如申请专利范围第2项所述之方法,在提供该导电材料层之步骤前,更包括提供一蚀刻阻绝层于该绝缘层上方之步骤。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该蚀刻阻绝层包括氮化矽。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该蚀刻阻绝层提供该导电材料层之该凹陷部份完全蚀刻之一阻障。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该导电材料层为一掺杂多晶矽。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该下电极包括一下底板与一皇冠结构延伸于该下底板上方,其中该方法更包括形成半球形矽晶粒于该皇冠结构上之步骤。14.如申请专利范围第13项所述之方法,更包括回蚀刻该半球形矽晶粒之步骤。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层之该高起部份位于该接点介层上方,并且其边缘并不位于该接点介层上方。图式简单说明:第一图-第五图绘示依照本发明一较佳实施例之DRAM的制程图。第六图-第七图绘示依照本发明较佳实施例之另一部份制程图。第八图绘示依照本发明较佳实施例之再一部份制程图。 |
