| 主权项 |
1.一种在球栅阵列半导体元件的接点区上成形焊料接点的方法,包括的步骤有:预热半导体基材;从焊料片直接将许多焊料模型冲在半导体基材的接点区上;藉加热使焊料模型回流以在半导体基材上形成焊料接点。2.根据申请专利范围1的方法,其中的焊料回流是在氢大气中进行。3.根据申请专利范围1的方法,其中的助焊剂是在将焊料模型冲于基材上之前施加于接点区。4.根据申请专利范围1的方法,其中预热基材的温度范围从150到225℃。5.根据申请专利范围1的方法,其中焊料片的焊料成分选自63/37的锡/铅及90/10的锡/铅。6.根据申请专利范围1的方法,其中基材与焊料模型的回流时间从3.5分到5.5分。7.一种在球栅阵列半导体元件的接点区上成形焊料接点的方法,包括的步骤有:在半导体元件基材的接点区上施用助焊剂;从焊料片直接将许多焊料模型冲在半导体基材的接点区上;藉加热使焊料模型与助焊剂回流以在半导体基材上形成焊料接点。8.根据申请专利范围7的方法,其中预热基材的温度范围从150到225℃。9.根据申请专利范围7的方法,其中焊料片的焊料成分选自63/37的锡/铅及90/10的锡/铅。10.根据申请专利范围7的方法,其中基材与焊料模型的回流时间从3.5分到5.5分。图式简单说明:第一图显示半导体元件与球栅阵列接点;第二图显示一个半导体元件在一冲针下方,冲针将焊料预成形于基材上;第三图显示预成形焊料的基材;第四图是基材上已成形焊料的等视图;第五图显示焊料回流后的基材与焊球;第六图显示焊球附着于基材之上;第七图显示焊料模形附着于基材上;第八图是成形与附着焊料接点之制程的第一种具体实例流程图;第九图是在基材上制做与放置焊球之制程的第二种具体实例流程图; |
