| 主权项 |
1.一种灰化方法,其包含有下列步骤: 在一下置层之一部分上形成光阻; 将元素离子植入该下置层和该光阻中; 将该光阻置入包括氧原子团的原子团大气中,且接 着灰化包括该等杂质元素和在该光阻之一表面上 形成的一较上层部分;及 藉由增加该原子团大气中之氧原子团之量而灰化 该光阻之剩余部分。2.依据申请专利范围第1项之 灰化方法,其中灰化该光阻之较上层部分之该步骤 和灰化该剩余部分之该步骤系在一室中执行。3. 依据申请专利范围第1项之灰化方法,其中该氧原 子团系藉将一微波辐射于一含氧气体上而产生,且 该氧原子团之增加系藉由改变该微波之电力而被 执行。4.依据申请专利范围第3项之灰化方法,其中 氟化碳被包括在该含氧气体中。5.依据申请专利 范围第1项之灰化方法,其中该氧原子团之增加系 藉由增加该氧原子团所需的一材料气体之流量率 而被执行。6.依据申请专利范围第1项之灰化方法, 其中该氧原子团之增加系藉由增加该原子团大气 之压力而被执行。7.依据申请专利范围第1项之灰 化方法,其中该氧原子团之增加系在灰化该较上层 部分之该步骤已完成后被执行。8.依据申请专利 范围第1项之灰化方法,其更包含在灰化该较上层 部分之该步骤已完成后增加该下置层之温度的步 骤。9.依据申请专利范围第8项之灰化方法,其中该 温度之增加系逐渐地执行。10.依据申请专利范围 第8项之灰化方法,其中该下置层之温度藉由增加 该温度而超过150℃。11.依据申请专利范围第1项之 灰化方法,其中该光阻之较上层部分系藉由使该下 置层之温度高于150℃而被灰化。12.依据申请专利 范围第1项之灰化方法,其中该下置层系为一层半 导体层。13.依据申请专利范围第1项之灰化方法, 其中该下置层系以矽做成。图式简单说明: 第一图系陈示在习知技艺中一电浆灰化设备之一 结构截面图; 第二图系陈示在本发明之一实施例中使用的一灰 化设备之一组态的一结构图; 第三图系陈示在第二图中所示灰化设备之一反应 室的一例之一截面图; 第四图系说明在第二图中所示灰化设备的一操作 之一流程图; 第五图A至第五图C系陈示在一半导体元件之制造 处理中使用的形成光阻之一劣化层之一步骤和灰 化一光阻层的一步骤; 第六图系陈示在与第二图中所示的灰化设备之使 用的光阻之灰化处理中在一基体温度上的改变和 一灰化所用时间之间关系的一图;及 第七图系陈示在灰化余物之量和用以执行具有劣 化层的光阻之灰化的一微波电力间关系的一图。 |
