| 发明名称 | 形成自对准接触的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成自对准接触的方法,包括:在包括第一自对准接触焊盘的第一绝缘层上形成第二绝缘层,在第二绝缘层上形成导电结构,在导电结构的两侧壁形成第二自对准接触焊盘。用相对于第二绝缘层有腐蚀选择性的材料层覆盖导电结构,第二与第一自对准接触焊盘电连接。于是,用双层形成了自对准接触焊盘。因此可防止由未对准引起的短路失效,并且保证与存储器节点的未对准裕度。 | ||
| 申请公布号 | CN1244727A | 申请公布日期 | 2000.02.16 |
| 申请号 | CN99109620.7 | 申请日期 | 1999.07.01 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林炳俊 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/3205;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;余朦 |
| 主权项 | 1.一种形成自对准接触的方法，包括下列步骤：在形成晶体管的半导体衬底上形成第一绝缘层；贯穿所述第一绝缘层，以形成与所述半导体衬底电连接的第一自对准接触焊盘；在包括所述第一自对准接触焊盘的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成导电结构，用相对于所述第二绝缘层有腐蚀选择性的材料层覆盖所述导电结构；在包括所述位线的所述第二绝缘层上形成第三绝缘层；顺序腐蚀所述第三绝缘层和所述第二绝缘层直至所述第一自对准接触焊盘的上表面，从而形成第一开口；形成通过所述第一开口与所述第一自对准接触焊盘电连接的第二自对准接触焊盘；在包括所述第二自对准接触焊盘的所述第三绝缘层上形成第四绝缘层；腐蚀所述第四绝缘层直至所述第二自对准接触焊盘的上表面，从而形成第二开口；以及形成通过所述第二开口与所述第二自对准接触焊盘电连接的存储器节点。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||