发明名称 | 晶体生长工艺和半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 晶体硅层外延生长在表面具有多孔硅层的衬底上。通过液相外延进行外延生长时,硅材料溶入高温的熔融液中,然后把将进行外延的硅衬底浸入熔融液中。然后,其温度逐渐降低,由此从熔融液沉积的硅在硅衬底上外延生长。在这个外延中,主平面是(111)平面的衬底被用作硅衬底。这提供了一种晶体硅层在多孔硅层上外延生长而不引起任何非正常生长的过程,该过程的晶体硅层完全覆盖多孔硅层。 | ||
申请公布号 | CN1244724A | 申请公布日期 | 2000.02.16 |
申请号 | CN99111393.4 | 申请日期 | 1999.07.02 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 岩根正晃;中川克己;西田彰志;浮世典孝;岩崎由希子;水谷匡希 |
分类号 | H01L21/208;H01L31/04 | 主分类号 | H01L21/208 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1、晶体生长工艺,包括在多孔半导体上形成外延半导体层,其中多孔半导体层的主平面是(111)平面。 | ||
地址 | 日本东京 |