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1.一种合成(SrxBa1-x)Bi2Ta2O9(x=0至1)强介电陶瓷之方 法,其特征在于包括下列二步骤: (1)依BiTaO4之化学计量混合氧化铋与氧化钽,并于空 气中进行煆烧反应,以合成BiTaO4,其反应温度在600 ℃至1100℃之间;及 (2)依(SrxBa1-x)Bi2Ta2O9(x范围同上)之化学计量,将所合 成之BiTaO4与碳酸锶及碳酸钡混合,再于空气中进行 煆烧反应,其反应温度在600℃至1200℃之间。2.根据 申请专利范围第1项之方法,其中步骤(1)之反应温 度系在700℃至950℃之间。3.根据申请专利范围第1 项之方法,其中步骤(2)之反应温度系在700℃至1100 ℃之间。4.根据申请专利范围第1至3项之任一项之 方法,其中x=1。5.根据申请专利范围第1至3项之任 一项之方法,其中x=0。图式简单说明: 第一图系实例1中氧化铋与氧化钽于900℃煆烧2小 时后,再与碳酸锶反应所得之SBT纯相之X射线烧射 图。 第二图系实例1中所得之SBT纯相之扫描式电子显微 镜图。 第三图系实例2中氧化铋与氧化钽于900℃煆烧2小 时后,再于碳酸钡反应所得之BBT纯相之X射线烧射 图。 第四图系实例2中所得之BBT纯相之扫描式电子显微 镜图。 第五图系实例3中氧化铋与氧化钽于900℃煆烧2小 时后,再于碳酸锶及碳酸钡反应所得之(Sr0.5Ba0.5)Bi2 Ta2O9纯相之X射线绕射图。 第六图系实例3中所得之(Sr0.5Ba0.5)Bi2Ta2O9纯相之扫 描式电子显微镜图。 |
