| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine ferroelektrische Speicheranordnung mit einem Speicherzellenfeld aus einer Vielzahl von Speicherzellen, die jeweils wenigstens einen Auswahltransistor (TG1, TG2) und einen Speicherkondensator (CF1, CF2) aufweisen und über Wortleitungen (WL) und Bitleitungen (BL, bBL) ansteuerbar sind. Über jedem Speicherkondensator (CF1, CF2) liegt ein Kurzschlußtransistor (SG1, SG2), um den Speicherkondensator (CF1, CF2) vor Störimpulsen zu schützen.</p> |
