半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法,在延长漏极区3内部,形成P型埋入区2。用高能量硼离子注入法或者热扩散法形成P型埋入区3。通过用离子注入法或POCl₃扩散法,往延长漏极区的一部分表面或者整个表面掺入磷或砷等杂质,而形成N型高浓度区1。MOSFET动作时,由于漏极电流流过N型高浓度区1,所以通态电阻被减小了。

主权项

1.一种半导体装置，备有：第1导电型半导体层、形成在上述半导体层内的第2导电型源极区、形成在上述半导体层内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其中还备有：至少有一部分被包在上述漏极区内的第1导电型埋入区和至少被设置在上述半导体层的表面和上述埋入区之间，并且其中的第2导电型杂质浓度比上述漏极区的第2导电型杂质浓度还高的高浓度区。