| 发明名称 | 传感器 | ||
| 摘要 | 在半导体基底的前表面上形成了一个保护电极且经过一个绝缘层在保护电极上形成了一个固定电极。借助一个隔膜在固定电极上形成了一个腔,且在这些隔膜层之间形成了一个运动电极。形成了从基底的后表面延伸并到达腔的一个基底通孔。提供了一个运算放大器,它驱动保护电极从而使保护电极的电位与固定电极的电位相等。固定电极与运动电极之间的电容的改变被转换成与隔膜的位移直接相关的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1243244A | 申请公布日期 | 2000.02.02 |
| 申请号 | CN99110451.X | 申请日期 | 1999.07.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 池田雅春;江刺正喜 |
| 分类号 | G01L9/12;H01L27/02 | 主分类号 | G01L9/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杨国旭 |
| 主权项 | 1.一种传感器，包括：形成在基底的前表面上的保护电极；淀积在所述保护电极的上部上的绝缘层；形成在所述绝缘层的上部的固定电极；以及缓冲放大装置，用于驱动所述保护电极从而使所述保护电极的电位与所述固定电极的电位相等。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||