| 主权项 |
1.一种互补式金氧半导体光感测器之金属反射层的制造方法,包括:提供一矽基底;形成一第一隔离岛以及一第二隔离岛于该矽基底上;形成一磊晶矽层于该矽基底上,并位于该第一隔离岛以及该第二隔离岛之间;形成一渠沟于该第一隔离岛上;形成一金属反射层于该渠沟中,其中该金属反射层之上表面低于该第一隔离岛之上表面;形成一绝缘层于该金属反射层上,其中该绝缘层之上表面与该第一隔离岛之上表面共一平面;以及形成一互补式金氧半导体光感测器于该磊晶矽层上,其中该互补式金氧半导体光感测器之一感光区紧邻该第一隔离岛。2.如申请专利范围第1项所述之金属反射层的制造方法,其中形成该金属反射层之步骤包括:沉积一金属层于该基底上;以及移除位于该磊晶矽层、该第一隔离岛以及该第二隔离岛上之该金属层,以及一部份位于该渠沟中之该金属层,其中位于该渠沟中剩余之该金属层为该金属反射层。3.如申请专利范围第2项所述之金属反射层的制造方法,其中该金属反射层包括金属钨。4.如申请专利范围第2项所述之金属反射层的制造方法,其中该金属反射层包括金属钛。5.如申请专利范围第2项所述之金属反射层的制造方法,其中移除该金属层之步骤包括一乾蚀刻制程。6.如申请专利范围第1项所述之金属反射层的制造方法,其中形成该绝缘层之步骤包括:沉积一层绝缘物质于该基底上;以及移除位于该磊晶矽层、该第一隔离岛以及该第二隔离岛上之该绝缘物质,以在该渠沟中形成该绝缘层。7.如申请专利范围第6项所述之金属反射层的制造方法,其中该绝缘层包括二氧化矽。8.如申请专利范围第6项所述之金属反射层的制造方法,其中该绝缘层包括氮化矽。9.如申请专利范围第6项所述之金属反射层的制造方法,其中形成该绝缘层之步骤包括化学气相沉积法。图式简单说明:第一图为绘示习知一种CMOS感测器的结构剖面示意图;第二图A至第二图I为绘示依照本发明一较佳实施例之互补式金氧半导体光感测器的制造流程剖面图。 |
