发明名称 栽培装置及其制造方法
摘要 本发明之栽培装置及其制造方法是将栽培植物(30)的根直接接触微多孔质箱体(12)、(13)所成之栽培装置(10)的表面而供应养份水份。因此,不会造成养份.水份供应上的繁杂性,不但可省水的同时,可获得小型化容易进行室内栽培之栽培装置。
申请公布号 TW381000 申请公布日期 2000.02.01
申请号 TW086114166 申请日期 1997.09.27
申请人 植物培养控制股份有限公司 发明人 赤井龙男
分类号 A01G25/06 主分类号 A01G25/06
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种装置(1)含有一电路(2)用于在接通电源模式中供应电源至连接于装置(1)之负荷(4),包括一驱动级(7),及一控制单体(9)用以供应接通脉冲至驱动级(7),及一输出级含有一切换电晶体(11),切换电晶体(11)在出现接通脉冲时可被在电源接通模式中之驱动级(7)打开而呈传导状态一个时段(TEIN),并于时段(TEIN)届满后被关掉而呈非传导状态,驱动级(7)亦可监控切换电晶体(11)之作业温度(TS)并启动一切断电源模式,该模式是当切换电晶体11之作业温度超过第一限制温度(TG1)时被启动,在切断电源模式中切换电晶体(11)无论是否有接通脉冲出现均永远被驱动级(7)驱动至其非传导状态,其特征为驱动级包括一由一感测电晶体(21)之基极与射极二极体与一感测电阻器(22)串联之装置,该串联装置与切换电晶体(11)之基极与射极二极体并联,感测电晶体(21)之基极接头连接至切换电晶体(11)之射极接头,及驱动级(7)亦包括一接通电晶体(23)其基极接头连接至感测电晶体(21)之集极接头而其集极接头则连接至感测电晶体(21)之基极接头。及驱动级(7)更包括一接通电阻器(24)其第一接头(25)连接至接通电晶体(23)之射极接头而其第二接头(26)则连接至接通电晶体(23)之集极接头。及感测电晶体(21)之安排为实质上不会受到切换电晶体(11)作业温度(TS)之影响。2.根据申请专利范围第1项之装置(1),其特征为感测电晶体(21)与接通电晶体(23)系由一闸流体(40)形成。(第一图)3.根据申请专利范围上述任何一项之装置(1),其特征为驱动级(7)更包括一曾纳二极体(29)其第一接头(30)连接至接通电阻器(24)之第一接头(25)而其第二接头(31)则连接至切换电晶体(11)之基极接头,并将在装置(1)作业中出现于接通电阻器(24)之第一接头(25)与切换电晶体(11)之基极接头间之电压(UZD)限制至曾纳电压(UZ)。(第一图)4.根据申请专利范围上述任何一项之装置(1),其特征为驱动级(7)更包括一切断电源级(32)可以减少切换电晶体(11)由其传导状态切换至非传导状态之时间,及切断电源级(32)含有一切断电阻器(33)、一切断电容器(34)及一切断电晶体(35),切断电晶体(35)之射极接头连接至切断电阻器(33)之第一接头(36)及接通电阻器(24)之第一接头(25),切断电晶体(35)之基极接头连接至切断电阻器(33)之第二接头(37)及切断电容器(34)之第一接头(38),切断电晶体(35)之集极接头连接至切换电晶体(11)之基极接头,电容器(34)之第二接头(39)连接至切换电晶体(11)之集极接头。(第一图)5.根据申请专利范围上述任何一项之装置(1),其特征为驱动级(7)系制成一积体电路(44)。(第四图)图式简单说明:第一图所示为本发明第一实例切换模式之电源供应器,其中之驱动级含有一感测电晶体及一感测电阻器用以监控切换电晶体之作业温度,该驱动级更含有一曾纳二极体与一切断电源级,能使切换电晶体快速自其传导状态切换至非传导状态。第二图A所示为产生于第一图所示装置中之接通电流IS之波形,第二图B所示为跨于第一图装置负荷上输出电压UA之波形。此等波形已产生于第四图所示本发明第二实例装置中。第三图为切换电晶体基极与射基二极体及感测电晶体基极与射极二极体上视温度而定之电压与电流。第四图用于汽车中做为自动温度切断器之本发明第二实例之装置。
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