| 主权项 |
1.一种防止电容器上介电层断裂的方法,该方法包括:提供一半导体基底,在该半导体基底上已形成有一堆叠电容;形成一第一介电层,覆盖在该堆叠电容与该半导体基底上;进行一回蚀刻步骤,蚀刻部分该第一介电层,在该堆叠电容侧壁形成一间隙壁;以及形成一第二介电层,在该间隙壁与该堆叠电容上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该堆叠电容包括一下电极、一介电层与一上电极,且该介电层介于该下电极与该上电极之间。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该下电极的材料系为掺杂的多晶矽,且形成方式包括化学气相沈积法(CVD)。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该介电层的材料包括氧化矽/氮化矽/氧化矽(ONO)。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该上电极的材料系为掺杂的多晶矽,且形成方式包括化学气相沈积法(CVD)。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该堆叠电容系为突出于该半导体基底上的一立体结构,在该堆叠电容的侧壁底部具有一尖锐转角,而该间隙壁系覆盖住该尖锐转角。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层的形成方法包括先沈积一硼磷矽玻璃层(BPSG),再进行一回火步骤,其温度范围在约800-900℃之间。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层的形成方法包括先沈积一旋涂玻璃层(SOG),再进行一回火步骤,其温度范围在约800-900℃之间。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层的形成方法包括先沈积一磷矽玻璃层(PSG),再进行一回火步骤,其温度范围在约800-900℃之间。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该回蚀刻步骤包括非等向性蚀刻法。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二介电层的形成方法包括电浆加强式化学气相沈积法(PECVD),沈积一二氧化矽层在该间隙壁与该堆叠电容上。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括在该第二介电层上进行化学机械研磨步骤,使得该第二介电层表面呈平坦化。13.一种防止电容器上介电层断裂的方法,用于一动态随机存取记忆体中,该方法包括:提供一半导体基底,在该半导体基底上已形成有一动态随机存取记忆体,该动态随机存取记忆体包括一具有一源极/汲极区的场效电晶体与一堆叠电容,而该堆叠电容与该源极/汲极区电性连接;形成一第一介电层,覆盖在该堆叠电容与该半导体基底上;进行一回蚀刻步骤,蚀刻部分该第一介电层,而在该堆叠电容侧壁形成一间隙壁;以及形成一第二介电层,在该间隙壁与该堆叠电容上。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该堆叠电容包括一下电极、一介电层与一上电极,且该介电层介于该下电极与该上电极之间。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该下电极的材料系为掺杂的多晶矽,且形成方式包括化学气相沈积法(CVD)。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该介电层的材料包括氧化矽/氮化矽/氧化矽(ONO)。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该上电极的材料系为掺杂的多晶矽,且形成方式包括化学气相沈积法(CVD)。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该堆叠电容系为突出于该半导体基底上的一立体结构,在该堆叠电容的侧壁底部具有一尖锐转角,而该间隙壁系覆盖住该尖锐转角。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一介电层的形成方法包括先沈积一硼磷矽玻璃层(BPSG),再进行一回火步骤,其温度范围在约800-900℃之间。20.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一介电层的形成方法包括先沈积一旋涂玻璃层(SOG),再进行一回火步骤,其温度范围在约800-900℃之间。21.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一介电层的形成方法包括先沈积一磷矽玻璃层(PSG),再进行一回火步骤,其温度范围在约800-900℃之间。22.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该回蚀刻步骤包括非等向性蚀刻法。23.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二介电层的形成方法包括电浆加强式化学气相沈积法(PECVD),沈积一二氧化矽层在该间隙壁与该堆叠电容上。24.如申请专利范围第13项所述之方法,其中更包括在该第二介电层上进行化学机械研磨步骤,使得该第二介电层表面呈平坦化。图式简单说明:第一图,其所绘示为习知一种电容器上介电层断裂的剖面示意图;以及第二图A-第二图D,其所绘示根据本发明之一较佳实施例,一种防止电容器上介电层断裂的制造方法剖面示意图。 |
