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发明名称
TRANSISTOR WITH INCREASED SAFE OPERATING AREA AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号
KR100242436(B1)
申请公布日期
2000.02.01
申请号
KR19950034701
申请日期
1995.10.10
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD.
发明人
LEE, SANG-YONG;CHOI, PYONG-HA
分类号
H01L29/74;(IPC1-7):H01L29/74
主分类号
H01L29/74
代理机构
代理人
主权项
地址
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