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发明名称 SHALLOW JUNCTION FORMING METHOD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100243259(B1) 申请公布日期 2000.02.01
申请号 KR19920018414 申请日期 1992.10.07
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 PARK, SOON-OH;KIM, IL-KWON;KIM, YOUNG-WOOK
分类号 H01L21/18;(IPC1-7):H01L21/18 主分类号 H01L21/18
代理机构 代理人
主权项
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