发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdünnschicht und Verfahren zur Herstellung einer Hall-Effekt-Anordnung
摘要
申请公布号 DE69422229(D1) 申请公布日期 2000.01.27
申请号 DE1994622229 申请日期 1994.05.27
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 发明人 KAWASAKI, TETUO;KORETIKA, TETUHIRO;KITABATAKE, MAKOTO;HIRAO, TAKASHI
分类号 H01L21/20;H01L43/06;H01L43/08;(IPC1-7):H01L21/20;H01L43/14 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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