| 主权项 |
1.一种制造微小尺寸位元线方法,应用于一基底上,该基底至少具有一绝缘层;形成一掺杂多晶矽层于该绝缘层之上;形成一矽化钨层于该掺杂多晶矽层之上;该制造微小尺寸位元线之方法包括:对该矽化钨层进行一微影蚀刻制程,留下一第一位元线图案;对该矽化钨层之该第一位元线图案进行一等向性蚀刻步骤,形成尺寸较小之一第二位元线图案;以及以该矽化钨层之该第二位元线图案为罩幕,对该掺杂多晶矽层进行一非等向性蚀刻步骤,直至露出该绝缘层表面为止。2.如申请专利范围第1项所述之制造微小尺寸位元线方法,其中该等向性蚀刻步骤包括一湿蚀刻步骤。3.如申请专利范围第2项所述之制造微小尺寸位元线方法,其中该湿蚀刻步骤包括使用氨水和双氧水的混合溶液。4.如申请专利范围第1项所述之制造微小尺寸位元线方法,其中该非等向性蚀刻步骤包括一乾蚀刻步骤。5.一种制造微小尺寸导线的方法,应用于一基底上,该基底至少具有一绝缘层;形成一第一导电层于该绝缘层之上;形成一第二导电层于该第一导电层之上;该制造微小尺寸导线之方法包括:对该第二导电层进行一微影蚀刻制程,留下一第一导线图案;对该第二导电层之该第一导线图案进行一等向性蚀刻步骤,形成尺寸较小之一第二导线图案;以及以该第二导电层之该第二导线图案为罩幕,对该第一导电层进行一非等向性蚀刻步骤,直至露出该绝缘层表面为止。6.如申请专利范围第5项所述制造微小尺寸导线之方法,其中该第二导电层的材质包括矽化钨。7.如申请专利范围第6项所述制造微小尺寸导线之方法,其中该等向性蚀刻步骤包括使用氨水和双氧水的混合溶液之湿蚀刻法。8.如申请专利范围第5项所述制造微小尺寸导线之方法,其中该等向性蚀刻步骤包括一湿蚀刻步骤。9.如申请专利范围第5项所述制造微小尺寸导线之方法,其中该第一导电层的材质包括掺杂多晶矽。10.如申请专利范围第5项所述制造微小尺寸导线之方法,其中该非等向性蚀刻步骤包括一乾蚀刻步骤。11.一种制造微小尺寸导线的方法,应用于一基底上,该基底至少具有一绝缘层以及一导电层,该导电层位于该绝缘层之上;该制造微小尺寸导线之方法包括:对该导电层进行一微影蚀刻制程,留下一第一导线图案;以及对该导电层之该第一导线图案进行一等向性蚀刻步骤,形成尺寸较小之一第二导线图案。12.如申请专利范围第11项所述制造微小尺寸导线之方法,其中该导电层的材质包括低电阻系数的金属。13.如申请专利范围第11项所述制造微小尺寸导线之方法,其中该等向性蚀刻步骤包括一湿蚀刻步骤。图式简单说明:第一图A-第一图B是习知的一种形成导线方法的流程剖面图。第二图A-第二图D是依照本发明一较佳实施例的一种形成微小尺寸导线方法的流程剖面图。 |
