| 主权项 |
1.一种局部内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成图案化的一闸极氧化层覆盖于该基底、图案化的一复晶矽闸极层覆盖于该闸极氧化层与图案化的一顶盖层覆盖于该复晶矽闸极层上,以使该闸极氧化层、该复晶矽闸极层与顶盖层组成一闸极体;于该闸极体之侧壁形成一间隙壁;于该基底中形成一源极/汲极区;于该基底上形成一平坦化之介电层,该平坦化之介电层裸露出该顶盖层;去除部份该介电层与该闸极体之一侧的该间隙壁,以形成一开口,裸露出该源极/汲极区;去除该顶盖层,使该开口转为一局部内连线开口;以及于该局部内连线开口中填入一导体层,以形成该局部内连线。2.如申请专利范围第1项所述之局部内连线的制造方法,其中于该基底上形成一平坦化之介电层的步骤包括:于该基底上形成一介电层;以及进行一平坦化制程,去除部份该介电层,直到裸露出该顶盖层。3.如申请专利范围第2项所述之局部内连线的制造方法,其中该平坦化制程包括使用化学机械研磨法。4.如申请专利范围第1项所述之局部内连线的制造方法,其中该导体层之材质包括金属。5.如申请专利范围第4项所述之局部内连线的制造方法,其中该导体层之材质包括金属钨。6.如申请专利范围第4项所述之局部内连线的制造方法,其中该导体层之材质包括金属铜。7.如申请专利范围第4项所述之局部内连线的制造方法,其中去除该顶盖层,使该开口转为该局部内连线开口之后,于该局部内连线开口中填入该导体层,以形成该局部内连线之前,更包括于该基底上形成一共形阻障层/黏着层。8.如申请专利范围第1项所述之局部内连线的制造方法,其中该共形阻障层/黏着层之材质系选自于钛、氮化钛、氮化钨、氮矽化钨、钽以及氮化钽所组成之族群。9.如申请专利范围第1项所述之局部内连线的制造方法,其中于该局部内连线开口中填入该导体层,以形成该局部内连线之步骤包括一平坦化制程。10.如申请专利范围第9项所述之局部内连线的制造方法,其中该平坦化制程包括使用化学机械研磨法。11.一种半导体元件的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底中形成一隔离区,以在该基底中定义出一第一主动区与一第二主动区;于该第一主动区形成一第一闸极体,于该第二种主动区形成一第二闸极体,其中,该第一闸极体系由一第一闸极氧化层、一第一复矽闸极层与一第一顶盖层所组成,该第二闸极体系由一第二闸极氧化层、一第二复矽闸极层与一第二顶盖层所组成;于该第一闸极体之侧壁形成一第一间隙壁,于该第二闸极体之侧壁形成一第二间隙壁;于该第一主动区形成一第一源极/汲极区,于该第二主动区形成一第二源极/汲极区;于该基底上形成一平坦化之介电层,该平坦化之介电层裸露出该第一顶盖层与该第二顶盖层;去除部份该介电层与该闸极体之一侧之该第二间隙壁,以形成一第一开口,裸露出该第二源极/汲极区;去除该第一顶盖层,以形成一第二开口,并去除该第二顶盖层,使该第一开口转为一局部内连线开口;以及于该第二开口中填入一第一导体层,以形成一导体闸极层,并于该局部内连线开口中形成一第二导体层,以形成一局部内连线。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中于该基底上形成一平坦化之介电层的步骤包括:于该基底上形成一介电层;以及进行一平坦化制程,去除部份该介电层,直到裸露出该顶盖层。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该平坦化制程包括使用化学机械研磨法。14.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该第一导体层与该第二导体层之材质包括金属。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该该第一导体层与该第二导体层之材质包括金属钨。16.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该第一导体层与该第二导体层之材质包括金属铜。17.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中去除该第一顶盖层,以形成该第二开口,并去除该第二顶盖层,使该第一开口转为该局部内连线开口之后,于该第二开口中填入该第一导体层,以形成一导体闸极层,并于该局部内连线开口中填入该第二导体层,以形成该局部内连线之前,更包括于该第二开口中形成一第一共形阻障层/黏着层,于该局部内连线开口中形成一第二共形阻障层/黏着层。18.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该第一共形阻障层/黏着层与该第二共形阻障层/黏着层之材质系选自于钛、氮化钛、氮化钨、氮矽化钨、钽以及氮化钽所组成之族群。19.如申请专利范围第18项所述之制造方法,其中于该第二开口中填入该第一导体层,以形成一导体闸极层,并于该局部内连线开口中填入该第二导体层,以形成该局部内连线之步骤包括一平坦化制程。20.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中该平坦化制程包括使用化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示习知局部内连线之制造流程剖面示意图;以及第二图A至第二图F系绘示依照本发明之一较佳实施例,一种半导体元件之制造流程剖面示意图。 |
