| 主权项 |
1.一种半导体记忆装置,其包括互补资料线,其由连 接到复数记忆体单元的位元线和位元反相线所构 成;第一、第二和第三配线层,依序形成于半导体 基板上;第一共通互补资料线对,其由透过第一接 触窗连接第一和第二配线层之位元线和位元反相 线所构成;第二共通互补资料线对,其由透过第二 接触窗连接第二和第三配线层之位元线和位元反 相线所构成;以及选择开关,用以选择上述互补资 料线的位元线和位元反相线,以分别连接上述第一 和第二共通互补资料线对的位元线和位元反相线; 其特征在于: 在以上述第一配线层做为上述第一共通互补资料 线对的位元线,同时以上述第三配线层做为上述第 二共通互补资料线对的位元线之情况,在上述第二 配线层上,上述第一共通互补资料线对的位元线, 均等于上述第二共通互补资料线对的位元线和位 元反相线之重叠面积,同时上述第二共通互补资料 线对的位元线,均等于上述第一共通互补资料线对 的位元线和位元反相线之重叠面积。2.一种半导 体记忆装置,其包括互补资料线,其由连接到复数 记忆体单元的位元线和位元反相线所构成;第一、 第二和第三配线层,依序形成于半导体基板上;第 一共通互补资料线对,其由透过第一接触窗连接第 一和第二配线层之位元线和位元反相线所构成;第 二共通互补资料线对,其由透过第二接触窗连接第 二和第三配线层之位元线和位元反相线所构成;以 及选择开关,用以选择上述互补资料线的位元线和 位元反相线,以分别连接上述第一和第二共通互补 资料线对的位元线和位元反相线;其特征在于: 在以上述第一配线层做为上述第一共通互补资料 线对的位元反相线,同时以上述第三配线层做为上 述第二共通互补资料线对的位元反相线之情况,在 上述第二配线层上,上述第一共通互补资料线对的 位元反相线,均等于上述第二共通互补资料线对的 位元线和位元反相线之重叠面积,上述第二共通互 补资料线对的位元反相线,均等于上述第一共通互 补资料线对的位元线和位元反相线之重叠面积。3 .一种半导体记忆装置,其包括互补资料线,其由连 接到复数记忆体单元的位元线和位元反相线所构 成;第一、第二和第三配线层,依序形成于半导体 基板上;第一共通互补资料线对,其由透过第一接 触窗连接第一和第二配线层之位元线和由第一配 线层所构成之位元反相线所构成;第二共通互补资 料线对,其由透过第二接触窗连接第二和第三配线 层之位元线和由第三配线层所构成之位元反相线 所构成;以及选择开关,用以选择上述互补资料线 的位元线和位元反相线,以分别连接上述第一和第 二共通互补资料线对的位元线和位元反相线;其特 征在于: 在上述第一和第二配线层上,上述第二共通互补资 料线对的位元线,均等于上述第一共通互补资料线 对的位元线和位元反相线之重叠面积以及上述位 元线和位元反相线之平行面积;并且在上述第二和 第三配线层上,上述第一共通互补资料线对的位元 线,均等于上述第二共通互补资料线对的位元线和 位元反相线之重叠面积以及上述位元线和位元反 相线之平行面积。4.一种半导体记忆装置,其包括 互补资料线,其由连接到复数记忆体单元的位元线 和位元反相线所构成;第一、第二和第三配线层, 依序形成于半导体基板上;第一共通互补资料线对 ,其由透过第一接触窗连接第一和第二配线层之位 元互补线和由第一配线层所构成之位元线所构成; 第二共通互补资料线对,其由透过第二接触窗连接 第二和第三配线层之位元互补线和由第三配线层 所构成之位元线所构成;以及选择开关,用以选择 上述互补资料线的位元线和位元反相线,以分别连 接上述第一和第二共通互补资料线对的位元线和 位元反相线;其特征在于: 在上述第一和第二配线层上,上述第二共通互补资 料线对的位元互补线,均等于上述第一共通互补资 料线对的位元线和位元反相线之重叠面积以及上 述位元线和位元反相线之平行面积;并且在上述第 二和第三配线层上,上述第一共通互补资料线对的 位元互补线,均等于上述第二共通互补资料线对的 位元线和位元反相线之重叠面积以及上述位元线 和位元反相线之平行面积。5.一种半导体记忆装 置,其包括互补资料线,其由连接到复数记忆体单 元的位元线和位元反相线所构成;第一、第二和第 三配线层,依序形成于半导体基板上;第一共通互 补资料线对,其对应于上述第一和第三配线层配置 位元线和位元反相线;第二共通互补资料线对,其 对应于上述第一和第三配线层配置位元线和位元 反相线;以及选择开关,用以选择上述互补资料线 的位元线和位元反相线,以分别连接上述第一和第 二共通互补资料线对的位元线和位元反相线;其特 征在于: 在上述第一配线层上,配置上述第一共通互补资料 线对和上述第二共通互补资料线对之位元线,并且 在上述第三配线层上,配置上述第一共通互补资料 线对和上述第二共通互补资料线对之位元反相线 的情况下,至少一不构成位元线和位元反相线之上 述第一和第三配线层中之一者,系透过接触窗彼此 连接上述第二配线层。6.一种半导体记忆装置,其 包括互补资料线,其由连接到复数记忆体单元的位 元线和位元反相线所构成;第一、第二和第三配线 层,依序形成于半导体基板上;第一共通互补资料 线对,其对应于上述第一和第三配线层配置位元线 和位元反相线;第二共通互补资料线对,其对应于 上述第一和第三配线层配置位元线和位元反相线; 以及选择开关,用以选择上述互补资料线的位元线 和位元反相线,以分别连接上述第一和第二共通互 补资料线对的位元线和位元反相线;其特征在于: 在上述第一配线层上,配置上述第一共通互补资料 线对和上述第二共通互补资料线对之位元反相线, 并且在上述第三配线层上,配置上述第一共通互补 资料线对和上述第二共通互补资料线对之位元线 的情况下,至少一不构成位元线和位元反相线之上 述第一和第三配线层中之一者,系透过接触窗彼此 连接上述第二配线层。7.一种半导体记忆装置,其 包括互补资料线,其由连接到复数记忆体单元的位 元线和位元反相线所构成;第一、第二和第三配线 层,依序形成于半导体基板上;第一共通互补资料 线对,其对应于上述第一和第三配线层配置位元线 和位元反相线;第二共通互补资料线对,其对应于 上述第一和第三配线层配置位元线和位元反相线; 以及选择开关,用以选择上述互补资料线的位元线 和位元反相线,以分别连接上述第一和第二共通互 补资料线对的位元线和位元反相线;其特征在于: 在上述第一配线层上,配置上述第一共通互补资料 线对之位元线和上述第二共通互补资料线对之位 元反相线,并且在上述第三配线层上,配置上述第 一共通互补资料线对的位元反相线和上述第二共 通互补资料线对之位元线的情况下,至少一不构成 位元线和位元反相线之上述第一和第三配线层中 之一者,系透过接触窗彼此连接上述第二配线层。 8.如申请专利范围第1项至第7项之任一项所述之半 导体记忆装置,其中尚包括第四、第五和第六配线 层,具有与第一、第二和第三配线层相同结构。图 式简单说明: 第一图是本发明第一实施例中之半导体记忆装置 的平面图。 第二图是本发明第一实施例中之半导体记忆装置 的剖面图。 第三图是本发明第一实施例中之半导体记忆装置 的立体图。 第四图是本发明第一实施例中之半导体记忆装置 的配线电位关系图。 第五图是本发明第二实施例中之半导体记忆装置 的平面图。 第六图是本发明第二实施例中之半导体记忆装置 的剖面图。 第七图是本发明第二实施例中之半导体记忆装置 的立体图。 第八图是本发明第二实施例中之半导体记忆装置 的配线电位关系图。 第九图是本发明第三实施例中之半导体记忆装置 的平面图。 第十图是本发明第三实施例中之半导体记忆装置 的剖面图。 第十一图是本发明第三实施例中之半导体记忆装 置的剖面图。 第十二图是习知半导体记忆装置之概略电路结构 图。 第十三图是习知半导体记忆装置的平面图。 第十四图是习知半导体记忆装置的剖面图。 第十五图是习知半导体记忆装置的立体图。 第十六图是习知半导体记忆装置的配线电位关系 图。 |
