发明名称 METHOD FOR PRODUCING A FILLED RECESS IN A MATERIAL LAYER, INTEGRATED CIRCUIT PRODUCED USING SAID METHOD
摘要 <p>Die Vertiefung wird in einer Materialschicht (S) erzeugt, indem in verschiedenen Schritten mindestens eine erste Struktur (S1) und eine zweite Struktur (S2) erzeugt werden, die seitlich aneinandergrenzen und bis zu einem Boden der Vertiefung reichen. Die erste Struktur (S1) und die zweite Struktur (S2) sind so schmal, daß sie durch konformes Erzeugen von Schichten (F1, F2), deren Dicke unabhängig und kleiner als die Tiefe der Vertiefung sind, erzeugt werden können. Die konform erzeugten Schichten (F1, F2) werden durch einen geeigneten Abscheideprozeß gebildet. Über der ersten Struktur (S1) und der zweiten Struktur (S2) kann eine Deckelstruktur erzeugt werden, in der eine Öffnung angebracht werden kann, durch die die erste Struktur (S1) und die zweite Struktur (S2) in einem Ätzschritt entfernt werden können.</p>
申请公布号 WO2000003560(A2) 申请公布日期 2000.01.20
申请号 DE1999002041 申请日期 1999.07.02
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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