发明名称 Lichtleiter zum Einsatz in einem Bragg-Gitter und diesen verwendendes Lichtleiter-Bragg-Gitter
摘要 Es werden ein Lichtleiter zur Verwendung in einem Lichtleiter-Bragg-Gitter sowie ein Lichtleiter-Bragg-Gitter zur Verfügung gestellt, welches einen derartigen Lichtleiter verwendet. Der Lichtleiter weist einen Kern auf, der aus einem Material besteht, das man durch Hinzufügen von Germaniumoxid (GeO¶2¶) zu Siliziumoxid (SiO¶2¶) erhält, und der zum Führen von Licht dient, sowie einen Mantel, der durch Hinzufügung eines Materials mit einem negativen Wärmeausdehnungskoeffizienten zu Siliziumoxid (SiO¶2¶) hergestellt wird, wobei der Brechungsindex des Mantels niedriger ist als jener des Kerns. Daher kann die Änderung der Bragg-Wellenlänge in Abhängigkeit von der Temperatur dadurch minimiert werden, daß der Lichtleiter unter Verwendung eines Materials mit einem negativen Wärmeausdehnungskoeffizienten hergestellt wird.
申请公布号 DE19928970(A1) 申请公布日期 2000.01.20
申请号 DE19991028970 申请日期 1999.06.24
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD., SUWON 发明人 PAEK, UN-CHUL;OH, KYUNG-HWAN
分类号 G02B5/20;G02B6/036;(IPC1-7):G02B6/22;G02B6/18;G02B6/34 主分类号 G02B5/20
代理机构 代理人
主权项
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