| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的实施例,形成沟槽级介质膜(26)和通孔级介质膜(24)覆盖半导体器件的衬底(10)。用对沟槽级介质膜(26)比对通孔级介质膜(24)有更高腐蚀选择性的第一腐蚀剂在沟槽级介质膜中(26)腐蚀出通孔开口(42)。在覆盖沟槽级介质膜(26)的光刻胶层(52)内构图沟槽开口(54)。用第二腐蚀剂腐蚀通孔级介质膜(24)将通孔开口(42)延伸到通孔级介质膜(24)内。腐蚀通孔级介质膜(26)形成沟槽开口。 | ||
| 申请公布号 | CN1241812A | 申请公布日期 | 2000.01.19 |
| 申请号 | CN99108904.9 | 申请日期 | 1999.06.24 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 乔伊·吉米·瓦塔那比;马修·托马斯·赫里克;特里·格兰特·斯帕克斯;奈杰尔·格莱梅·卡夫 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的形成方法，特征在于：形成通孔级介质膜(24)，覆盖半导体器件的衬底；形成沟槽级介质膜(26)，覆盖通孔级介质膜(24)；用第一腐蚀剂腐蚀沟槽级介质膜(26)中的通孔开口(42)，其中第一腐蚀剂对沟槽级介质膜(26)比对通孔级介质膜(24)有更高的腐蚀选择性；形成光刻胶层覆盖沟槽级介质膜(26)，光刻胶层具有露出沟槽级介质膜(26)内通孔开口的光刻胶开口；用第二腐蚀剂腐蚀通孔级介质膜(24)，将通孔开口延伸到通孔级介质膜(24)内；以及通过光刻胶开口腐蚀部分沟槽级介质膜(26)，形成沟槽开口。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||