| 发明名称 | 清洗锆钛酸铅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法。该方法采用HF(或缓冲氧化物浸蚀剂(BOE)和乙酸的混合物,或HF(BOE)、乙酸和醇的混合物,作为浸蚀剂,从而降低了PZT薄膜的浸蚀速率,该浸蚀速率在很大程度上取决于HF的浓度,进而可以采用这种浸蚀剂把PZT薄膜浸蚀去掉一个较薄的厚度为100埃或更薄。所以,只有PZT薄膜表面上的第二相晶体或浸蚀破坏层能被去除。 | ||
| 申请公布号 | CN1241457A | 申请公布日期 | 2000.01.19 |
| 申请号 | CN99110200.2 | 申请日期 | 1999.07.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李俊冀;金昌桢;郑一燮 |
| 分类号 | B08B3/08;H01L21/302 | 主分类号 | B08B3/08 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 段承恩 |
| 主权项 | 1.一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法，包括把PZT薄膜浸蚀到一种含HF和乙酸的浸蚀剂中，浸蚀PZT薄膜表面的步骤。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||