| 摘要 |
<p>Der MOS-Transistor mit hoher Spannungfestigkeit und geringem Einschaltwiderstand mit ist mit einem Substrat (10), das eine Dotierung eines ersten Leitungstyps aufweist, und einem in dem Substrat (10) ausgebildeten Wannengebiet (20) versehen, das eine Dotierung eines dem ersten Leitungstyp entgegengesetzten zweiten Leitungstyp aufweist. Ferner weist der MOS-Transistor in dem Wannengebiet (20) ausgebildete Source- und Drain-Gebiete (26,28) vom ersten Leitungstyp auf. Der MOS-Transistor ist mit einem eine Gate-Oxidschicht (36) aufweisenden Gate (32) zwischen dem Source-Gebiet (26) und dem Drain-Gebiet (28) versehen, wobei das Gate (32) einen drainseitigen Endbereich (42) aufweist, der von dem Drain-Gebiet beabstandet ist (40), und wobei unterhalb des drainseitigen Endbereichs (42) des Gate (32) ein Feldoxidsteg (37) angeordnet ist. Der MOS-Transistor ist mit einem Drainextension-Gebiet (24) versehen, das eine Dotierung vom ersten Leitungstyp aufweist und innerhalb dessen das Drain-Gebiet (28) ausgebildet ist, wobei das Drainextension-Gebiet (24) bis unterhalb der Gate-Oxidschicht (36) des Gate (32) reicht. Das Drainextension-Gebiet (24) ist durch Ionenimplantation gebildet und weist einen ersten Teilbereich (44), der unterhalb des Feldoxidsteges (37) angeordnet ist, und einen sich in Richtung auf das Drain-Gebiet (28) an den ersten Teilbereich (44) anschließenden zweiten Teilbereich (38) auf, innerhalb dessen zumindest ein Teilbereich des Drain-Gebiets (28) angeordnet ist oder an das das Drain-Gebiet (28) angrenzt, wobei die Konzentration an elektrisch aktiver Dotierung vom ersten Leitungstyp im ersten Teilbereich (44) des Drainextension-Gebiets (24) kleiner ist als im zweiten Teilbereich (38) des Drainextension-Gebiets (24), jedoch größer als im übrigen Bereich des Drainextension-Gebiets (24) ist. Das Wannengebiet (20) ist durch Ionenimplantation zweier um einen mit den ersten und den zweiten Teilgebieten (44,38) des Drainextension-Gebiets (24) ausgerichteten Abstandsbereich (14) beabstandeter Teilbereiche (16,18) und durch anschließende thermisch induzierte Diffusion gebildet, wobei diese beiden Teilbereiche (16,18) nach der Diffusion innerhalb eines dem ersten und dem zweiten Teilgebiet (44,38) des Drainextension-Gebiets (24) entsprechenden Verbindungsbereich (c) untereinander verbunden sind und die Konzentration an Dotierung vom zweiten Leitungstyp in diesem Verbindungsbereich (c) niedriger ist als im übrigen Bereich des Wannengebiets (20). <IMAGE></p> |
