METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH A STACKED CAPACITOR,申请号KR19970022914-传众专利搜索

发明名称	METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH A STACKED CAPACITOR
摘要
申请公布号	KR100238615(B1)	申请公布日期	2000.01.15
申请号	KR19970022914	申请日期	1997.06.03
申请人	NEC CORPORATION	发明人	WATANABE, HIROHITO
分类号	H01L21/02;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108	主分类号	H01L21/02
代理机构		代理人
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