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发明名称 METHOD AND APPARATUS FOR FORMING SOI SUBSTRATE USING PLASMA ION IMPLANTING
摘要
申请公布号 KR100229698(B1) 申请公布日期 2000.01.15
申请号 KR19960042736 申请日期 1996.09.25
申请人 NIPPON ELECTRIC K.K.;NISSIN ELECTRIC CO., LTD. 发明人 OKARA, ASTHUSHI;NUMASAWA, YOICHIRO;DOI, AKIRA;TAJYO, MASAYASU
分类号 H01L21/76;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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